端部增强方式对CFRP管轴压力学性能的影响

端部局部破坏严重制约CFRP(Carbon Fiber Reinforced Polymer)管轴压承载力的发挥,对采用金属加强箍-金属端帽增强与碳纤维-金属内衬增强两种端部增强方式的CFRP层合管进行了轴压试验,得到了试件受力过程和破坏形式。基于Hashin失效准则,利用有限元模型分析两种端部增强方式下CFRP管首层失效模式和承载力,并解释了增强机理。研究表明:与未施加端部增强的试件相比,端部增强可改变试件失效模式并提高承载力;端部增强时,外部增强约束刚度不宜过大,增强件与试件较大的刚度差会导致变形不一致,易在增强端边缘处发生剪切破坏;采用碳纤维-金属内衬的端部增强方式可有效防止端部发生"开花式"破坏和剪切破坏,可使层合管发生整体破坏,轴压承载力提高了46.37%。     

Fe-Ni-Al-Ti半硬磁合金中析出相的研究

本文研究了Fe-Ni-Al-Ti半硬磁合金回火时的磁硬化机理。通过回火过程的X射线衍射、透射电镜结果分析,认为:该合金回火时磁硬化的主要原因是有几种新相析出,而不是由于α→γ反向转变产生的奥氏体;这些析出相包括NiAl、Ni_3Al、Ni_2AlTi等顺磁性的有序相;工艺上广泛采用的650℃回火处理,析出相的尺寸约为0.2～0.5μm,它们在铁磁性基体中的弥散分布,使合金具有最佳的使用磁性能。本工作较我们的前一研究工作[5]更细微和定量。     

加强水文水资源勘测 合理开发利用水资源

水文水资源勘测是合理开发和有效利用水资源的基础。从甘肃水文水资源勘测工作的现状与存在的主要问题出发，在针对性地提出了甘肃水文水资源勘测工作的发展思路。     

内冷辊轴承进水分析及改进

分析了某厂热轧1 580 mm生产线输出辊道内冷辊轴承频繁进水导致轴承润滑不良抱死的原因,对内冷辊水套结构重新进行了设计及改进,使因轴承进水造成的故障率大幅降低90%以上。     

无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管正向电流输运机制

研究了无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管(SBD)的正向电流输运机制。分别采用Ni/Au和TiN作为阳极金属材料制备了无凹槽AlGaN/GaN SBD,对比了两种SBD的直流特性。并通过测量器件的变温I-V特性,研究了器件的正向电流输运机制。结果表明,TiN-SBD(0.95 V@1 mA·mm^-1)与Ni/Au-SBD(1.15 V@1 mA·mm^-1)相比实现了更低的开启电压,从而改善了正向导通特性。研究发现两种SBD的势垒高度和理想因子都强烈依赖于环境温度,通过引入势垒高度的高斯分布模型解释了这种温度依赖性,验证了正向电流输运机制为与势垒高度不均匀分布相关的热电子发射机制。     

E—514谷物联合收获机行走无级变速为何失控

1　引言Ｅ 514谷物联合收获机发动机至行走变速箱的动力传递采用皮带传动。行走无级变速的调整 ,是采用液压系统 2个柱塞缸控制行走传动中间变速皮带轮来实现的。在工作中 ,有些Ｅ 514谷物联合收获机经常发生行走无级变速调整失控的故障。具体表现是驾驶1 垫圈 (塑料 )　 2 密封圈　 3、5、18 弹簧座4、17、19 弹簧　 6 阀体　 7 进油阀芯　 8、14、2 0 密封圈9、13 垫圈　 10 上盖　 11 控制凸抡　 12 回油阀15 单向阀弹簧座　 16 钢球　 2 1 下盖Ｐ—进油孔　ＰＫ—泄油孔　Ｏ—回油孔　Ａ—接柱塞缸管口图 1　座阀式换向阀员操纵液…     

基于调谐质量阻尼器的装配式钢桁桥振动控制研究

针对装配式钢桁桥跨度逐渐增大引起的结构振动问题,应用调谐质量阻尼器(Tuned mass damper,TMD)进行振动控制.运用ANSYS软件建立了某型装配式钢桁桥的有限元模型,通过模态分析和谐响应分析确定了受控模态.根据Den Hartog理论对TMD的参数进行设计,分别对无控模型和有控模型进行瞬态动力分析,计算结果表明,在TMD控制下该桥的位移响应和加速度响应均得到了有效抑制.进一步研究发现随着质量比的增大,TMD的控制效果逐渐增强,但增强的幅度逐渐降低.     

AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研究进展

氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点,可以应用在新型高效、大功率的电力电子系统。总结了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管SBD(Schottky barrier diode)目前面临的问题以及目前AlGaN/GaN异质结SBD结构、工作原理及结构优化的研究进展。重点从AlGaN/GaN异质结SBD的肖特基新结构和边缘终端结构等角度,介绍了各种优化SBD性能的方法。最后,对器件的未来发展进行了展望。