排序方式: 共有15条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
一、引言GaAs器件和Si器件一样,也常常需要一种钝化膜来提高器件的可靠性,或是作为杂质选择扩散的掩膜。目前GaAs器件常用的介质膜有Si_3N_4膜、SiO_2膜、Al_2O_3膜和GaAs自身氧化膜(阳极氧化、等离子氧化等) 用正硅酸乙酯热分解生成SiO_2膜和PSG膜是硅平面工艺中常用的方法,这种方法工艺简单、安全、容易控制。但在GaAs衬底上如用Si器件的热分解工艺,当分解温度为700℃—800℃时,会使GaAs表面离解,造成缺陷,影响器件的电参数。为了防止GaAs衬底的分解,我们在尽可能低的温度下,预先在GaAs衬底上淀积一层薄膜,此膜可以 相似文献
3.
4.
MH-Ni 电池的循环寿命研究 总被引:2,自引:2,他引:0
采用正交试验方法研究了MH-Ni电极的配方、导电剂、添加剂、制片压力、粘结剂等夺种工艺因素对电池循环寿命的影响,并探讨了负极配方、充放电制度、电极极化及镍电极等影响电池循环寿命的原因。研究结果表明,当采用10.0‰的导电剂、5.0‰的添加剂、CMC∶PVA=1.5∶1及5MPa的制片压力等工艺条件时,制备出的MH-Ni电池具有最好的循环寿命,经1C大电流充放电120次后电池的容量仅损失2.5‰。大电流充放电条件下电极极化、镍电极的过早失效以及电解液的大量损耗是导致MH-Ni电池循环寿命下降的主要原因。 相似文献
5.
6.
本文提出将HCl+H_2O_2+H_2O溶液系统作为GaAs晶体的择优腐蚀液,并对它的腐蚀特性进行了一些实验研究,将其应用于半导体双异质结激光器的制造工艺中得到了满意的结果. 相似文献
7.
8.
研究了贮氢电池活化工艺与电池初始容量、充放电比率、电池极化、循环寿命之间的关系。结果表明:在设计贮氢合金时适当添加预防裂纹形成和裂纹扩展的合金元素,有利于提高贮氢电池的活化性能。采用适当的活化工艺可以使贮氢电池达到最佳的放放电效率。在研究的最佳活化工艺:活化充电电流为Ic0.4C5A,活化时间为3.0h,放电电流为Id=0.2C5A,放电终止电压为1.0V,活化次数为6次,经此工艺活经的贮氢电池的容量为246.9h/g,活化时的充放电比率为89%,经过450次充放电循环后,贮氢电池的容量下降28.1%。 相似文献
9.
10.
近年来半导体激光器的研制工作有了很大的进展。特别是在光导纤维通讯和光信息处理方面半导体激光器得到了越来越广泛的应用。为了有效地耦合到低损耗单模光纤中并达到易于调制的目的,实现基横模和单纵模操作是人们所期望的。因而,近年来国外对半导体激光器模式问题的研究日益增多。据文献报导,有的研究者研制了新的器件结构来实现激光器的单模运转,有的在腔面蒸抗反射膜;有的采用外腔控制;也有的采用深扩Zn的方法来稳定激光器的横模,而短腔激光器易于实现单纵模工作。为此,我们研究了不同深度扩Zn对半导体激光器模式的影响,也对短腔激光器进行了一些实验工作,初步观察到了一些现象。 相似文献