光调制直接重写磁光双层耦合膜磁基本特性的一种解耦方法

采用FFT方法对光调制直接重写磁光双层耦合膜的磁基本特性进行解耦,得到各单层薄膜在耦合状态下的特性,并用于分析计算磁光双层耦合膜之间的层间耦合能。     

晶圆传输机器人大臂的模态分析及其结构优化

首先对晶圆传输机器人大臂进行实体建模,采用ANSYS之Mechanical APDL和Workbench对模型进行有预应力的模态分析。然后,针对分析结果进行结构优化,并计算出较好尺寸的新大臂结构。最后,对新的大臂模型进行有预应力的模态分析。结果表明,新结构的WTR大臂性能更加优越,抗震性更好,更有利于晶圆快速、高效、平稳地传输。     

一种提高识别矫顽力精度的方法

当软磁材料的矫顿力低于几十奥斯特,甚至十以下奥斯特时,用能产生上万奥斯特外加磁场的VSM去测量时,其精度会受到一定的限制。如果采用一个合适的滤波器处理使外加磁场信号H和磁化强度信号M有一个合理的相位差,那么可以避开因零点附近的噪声对矫顿力估算精度的影响。     

薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响

用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜NiO／NiFe的矫顽力Hc和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO、铁磁层NiFe厚度的关系。结果表明：NiO厚度为70nm时,Hex最大;Hc随NiO厚度增大而增大。当NiFe厚度增加时,Hex近似线性减小;而矫顽力则随NiFe厚度增大开始有缓慢增加,然后才减小。对于NiO（70nm）／NiFe（t1nm）／Cu（2．2nm）／NiFe（t2nm）自旋阀多层膜材料,研究了NiFe膜厚度对磁阻效应的影响。结果表明：被钉扎层NiFe的厚度为3nm时,自由层NiFe的厚度为5nm时,MR值分别最大,约为1．6％。     

交换耦合双层膜NiO/Ni81Fe19的基片温度效应研究

用射频磁控溅射方法在不同基片温度下玻璃基片上分别制备NiO单层膜、NiFe单层膜和NiO／NiFe双层膜,研究了不同基片温度对膜的磁性能的影响．用振动样品磁强计（VSM）分析了膜的磁特性,结果表明：基片温度260℃时淀积的NiFe膜矫顽力Hc为184A·m^－1,小于室温淀积NiFe膜的H_c（584A·m^－1）,且磁滞回线的矩形度更好．室温下淀积NiO（50nm）／NiFe（15nm）双层膜的Hc为4000A·m^－1,交换耦会场（H_EX）仅为1600A·m^－1,磁滞回线的短形度很差,而260℃时淀积的双层膜的Hc下降到3120A·m^－1,H_EX却增大为4640A·m^－1,同时磁滞回线的矩形度也得到改善,其截止温度T_B高达230℃．X射线衍射（XRD）分析了膜的织构,结果表明：室温下淀积NiO膜呈现（220）织构,而260℃时淀积NiO膜呈现（111）织构;室温和260℃淀积的NiFe膜都呈（111）织构,但后者晶粒比前者大．     

磁光记录薄膜温度特性测量方法研究

光调制直接重写磁光盘为多层耦合膜,要求各功能层厚度很小,同时饱和磁化强度从很低,用一般的VSM测量系统的测定各功能层的Ms及其与温度的关系比较困难。我们采用了多种技术,包括隔震技术、仪器参数综合优化和误差分析等方法,提高了VSM测量灵敏度,成功测出了磁光记录薄膜各功能层的温度特性及其居里温度,取得了很好的效果。     

软磁材料矫顽力的高精度测量方法研究

软磁材料的矫顽力一般分布于零点附近,一方面,在零外加磁场状态下,测量易受到噪声的干扰;另一方面,相对使之达到饱和所施加的最大磁场而言,软磁材料矫顽力的分辨率受到一定的限制。提出一种延迟外推的方法,高精度地估算软磁材料的矫顽力。     

基于降温法的直接重写磁光记录薄膜居里温度的快速测量

在测量单层或多层磁光记录薄膜的居里温度时 ,为了达到有目的测量和提高测量的效率 ,采用了在快速升温过程中 (<5min) ,在感兴趣的温度范围里观察被测薄膜 Ms～ T曲线变化的全过程 ;然后 ,初步判断薄膜的居里温度可能在哪个温度区域里 ,决定是否需要精确测量 ;最后 ,若决定测量 ,选择居里温度附近的一段温度区域里利用降温过程测量。整个测量过程比采用逐步升温、并在每个恒定的温度上读取饱和磁化强度 Ms的方法节省大量的时间。只要选择一类响应时间快的热电偶 ,可以达到与逐步升温方法同样的测量精度。     

淀积磁场对NiO／Ni81Fe19双层膜特性的影响

用射频磁控溅射法在外磁场中淀积 Ｎｉ Ｏ／ Ｎｉ８１ Ｆｅ１９ 双层膜, 利用淀积磁场（ Ｈｄｅ） 诱导易轴并确定交换耦合场方向． 研究了淀积磁场对 Ｎｉ Ｏ／ Ｎｉ Ｆｅ 双层膜特性的影响, 结果表明, 淀积磁场改善了双层膜的磁滞回线的矩形度, 减小矫顽力, 增强交换耦合作用． 反铁磁性层 Ｎｉ Ｏ 和铁磁性层 Ｎｉ Ｆｅ 的厚度对矫顽力和交换耦合作用有很大的影响． 在５６ｋ Ａ／ｍ 的磁场中制备的 Ｎｉ Ｏ （５０ｎｍ） ／ Ｎｉ Ｆｅ （２５ｎｍ） 双层膜的易轴矫顽力 Ｈ Ｃ为１ ． ９ｋ Ａ／ｍ , 交换耦合场 Ｈ Ｅ Ｘ为２ ． ６ｋ Ａ／ｍ , 临界温度 Ｔｃ 为１５０ ℃, 截止温度 Ｔ Ｂ为２３０ ℃     

NiO／NiFe双层膜的制备及其交换耦合作用研究

用直流磁控反射溅射制备ＮｉＯ／ＮｉＦｅ双层膜。在保持ＮｉＦｅ层的厚度２０ｎｍ不变的条件下，发现尽管没有用外加磁场引导单向各向异性，由于底盘旋转等因素的影响，ＮｉＯ（７０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（２０ｎｍ）双层结构仍显示较好的单向各向异性，交换耦合场可达３０Ｏｅ以上。通过改变ＮｉＯ层的厚度，溅射气体Ａｒ分压以及溅射气体与反应气体的比例Ａｒ／Ｏ２，研究了反铁磁层厚度以及溅射条件对交换耦合场的影响。