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通过粉末冶金方法制备了一种新型的铜基电触头材料--CP-Nb-Cr/Cu-Cd--并对该材料在中等强度电流条件下的使用性能进行了研究.结果表明,该电触头材料基本满足63~250A电流范围内交流接触器对电接触性能的综合要求.试后组织结构的观察表明,在电弧作用条件下,CP-Nb-Cr/Cu-Cd电触头表面存在大量的裂纹并且形成了一层和基体结构不同的工作层.裂纹在电触头表面和连通、扩展和向材料内部侵入的过程对电触头的使用状态起到决定作用. 相似文献
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研究了w(Cu)为44%时Cu2O-Cu金属陶瓷电导纺σ的变化规律,所得定性和定量的结果均符合导通理论。当铜的体积份数达0.15-0.17时,σ值发生了5-7个数量级的跃迁,导电特征也由半导体型转化为金属导电,从而证明由铜粒子构成了无限导通带所致。 相似文献
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铜—金刚石复合体大气氧化动力学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
w(Cd)1.0%对铜基材料氧化膜的生长具有明显的抑制作用w(La)0.1%对铜基材料的抗氧化性能的提高也起到积极的促进作用,金刚石的加入急剧了铜基材料氧化膜的生长速度,Cu-C-Cd系材料的氧化膜生长规律不遵循抛物线定律,而呈立方规律生长,实际条件下氧化膜的生长规律是复杂性。 相似文献
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Cu2O—Cu系金属陶瓷制备工艺研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了以氧化亚铜为基,添加以金属铜作为导电组元的金属陶瓷的制备工艺,随着压制压力的增加和烧结时间的延长,所制备材料的密度呈规律性地递增,合理的工艺参数为P≥300MPa,t=10h至20h,烧结粉末体中含w(Cu)达30%时,其密实化过程及动力学曲线与粉末材料的已知规律拟合得非常好。 相似文献
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Cp/CuCd电接触材料大气氧化动力学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
1.0wt.%镉对铜基材料氧化膜的生长具有明显的抑制作用。0.1wt.%镧对铜基材料的抗氧化性能的提高也起到积极的促进作用。金刚石的加入急剧加速了Cp/CuCd材料氧化膜的生长速度。Cp/CuCd系材料的氧化膜生长规律不遵循抛物线定律,而呈立方规律生长。实际条件下氧化膜的生长规律是复杂的。 相似文献