NiFe层溅射气压对顶部钉扎NiFe/FeMn薄膜静态磁性能的影响

用直流磁控溅射制备了系列Ta/NiFe/FeMn/Ta薄膜样品。利用振动样品磁强计(VSM)、X射线衍射(XRD)等手段研究了溅射气压对NiFe层交换偏置场、矫顽力、截止温度的影响。结果表明,交换偏置场随NiFe层溅射气压和NiFe层厚度的增加均减小;在较低的NiFe层溅射气压下,可以获得具有较高交换偏置场He和较低矫顽力Hc的样品;截止温度Tb随着NiFe层溅射气压的减小而增高。通过对比研究0.8Pa、0.4Pa、0.2PaNiFe层溅射气压下NiFe/FeMn薄膜的静态磁性及微结构变化,发现以上现象是由于在较低的溅射气压能够获得较好织构的NiFe(111),进而诱导出较好取向的FeMn(111)。取向良好的NiFe/FeMn薄膜产生较大的交换偏置场和较小的矫顽力及更高的截止温度。     

FeCoAlN软磁薄膜的制备与性能

采用磁控溅射法在Ar+N2的混合气氛中制备FeCoAlN薄膜,并对其进行磁场真空热处理,以研究薄膜的结构、磁性及热稳定性。当N2与(N2+Ar)的流量比为9%时制备的薄膜具有良好的软磁性能。随着Al含量的增加,薄膜的热稳定性明显得到改善。Al含量为13.5%的(Fe64.8Co35.2)AlN薄膜在400℃真空磁场热处理60min,仍然具有良好的软磁性能,其饱和磁化强度μ0Ms为1.2T,易轴矫顽力为0.68kA/m,各向异性场为2.8 kA/m。     

退火时间对FeGaB/Al2O3多层薄膜性能的影响

现代电子元器件的高速发展,以及磁性元器件小型化、集成化需求日益增长,推动了纳米级磁性功能薄膜材料的研究。以高饱和磁致伸缩系数、低矫顽力的FeGaB薄膜材料为研究基础,以提高薄膜软磁性能为目标,使用脉冲激光沉积系统制备了FeGaB/Al2O3复合多层薄膜,发现在350℃的生长环境下,未退火的样品成膜质量较好,但软磁性能一般。为了提高磁性能,进行一组不同退火时间下的退火实验,实验发现样品的铁磁共振线宽较大,且退火时间对吸收峰强度影响较大。