硫系红外玻璃的抛光工艺研究

为研究锗砷硒(Ge22As20Se58)硫系红外玻璃的最佳抛光参数,比较了CeO2抛光液和Al2O3抛光液、聚氨酯抛光模和黑色阻尼布作为抛光垫时的优劣性。通过4因素3水平的正交实验,采用古典法平摆式磨抛技术研究锗砷硒玻璃的抛光工艺,使用Taylor Hobson粗糙度轮廓仪和Zygo Newview 8200对抛光后的锗砷硒玻璃表面粗糙度进行检测。研究结果表明:相比较于聚氨酯抛光模,黑色阻尼布作为抛光垫时玻璃未产生划痕,抛光时Al2O3抛光液的抛光效果优于CeO2抛光液,锗砷硒玻璃表面粗糙度可达2.59nm,得到了最佳抛光工艺。     

蓝宝石磁流变化学机械抛光工艺研究

针对超光滑平面蓝宝石衬底片存在亚表层损伤的问题,文中利用磁流变抛光技术进行蓝宝石衬底片抛光以满足现有生产需要,研究了磁流变抛光中抛光压力、抛光盘转速、工件盘转速及抛光液温度等工艺参数对C向蓝宝石衬底片表面粗糙度和去除率的影响。采用正交实验方法获得了一组最佳工艺参数为:抛光压力为25 kg,抛光盘转速为40 r·min~(-1),工件盘转速为20 r·min~(-1),抛光液温度为38℃。研究结果表明:蓝宝石抛光后最优表面粗糙度R_a为0.31 nm,去除率达到2.68μm·h~(-1)。     

环带磁场在磁流变抛光技术中的应用

磁流变抛光是获得光滑光学表面的理想工艺之一.为了获得一种可用于磁流变抛光中的环形磁场,设计了一种新型的环带式磁场结构,并对其进行模拟与分析,利用该磁场结构构造了一种面接触式的磁流变抛光设备.实际测量证明该磁场结构可形成满足磁流变抛光要求的高梯度磁场.将环形磁极浸入磁流变抛光液中,可使其形成圆环状的Bingham凸起;利用它对K9玻璃进行抛光,可使其表面粗糙度达到约为1 nm的水平.     

基于非球面检测的磁力微动间隙控制技术研究

在非球面检测中,为了能很好的控制参考波面的变化,需要对参考镜的位置进行微移动,针对此问题,研究了一种磁动式微动间隙调节结构,该结构以3个通电电磁线圈为驱动力,直线导轨为运动平台,通过电磁力驱动使参考镜的位置进行微小的变化,结构简单、方便,可以实现波面的位置控制,通过实验验证了该结构设计的正确性和可行性。     

大尺寸光学零件磁流变抛光的面形缺陷研究

针对大尺寸光学零件磁流变抛光中出现面形缺陷的产生原因和解决方法进行探讨.通过调整抛光头轴心与工件轴中心及摆臂轴心必须在同一直线,及调整磁场强度的工艺,研究了改善面形缺陷提高面形质量的实验方法.实验结果表明：对230mm的K9玻璃进行磁流变抛光,采用优化的磁流变抛光装置并将磁场控制电压减小到12V时,加工工件表面的面形P-V值由原来的0.730 2μm提高到了0.351 5μm.     

环带式磁流变抛光装置设计

针对"点接触"磁流变抛光技术存在对机床机械结构精度要求高,需对被抛光表面进行预抛光处理和抛光效率低等问题,提出一种采用环带式磁流变抛光技术实现平面和球面光学零件抛光的方法。该方法基于"面接触"抛光思想,采用闭合直流环带旋转磁场实现对工件抛光的原理,设计出了平面和球面光学元件自动抛光装置。分析了硬件控制和软件设计的具体结构,并采用制作出的装置进行相应的工艺实验。实验结果表明,该方法能够实现平面和球面光学元件的抛光需求。     

小型磁流变抛光装置的设计与探究

针对小球面(Φ5mm～Φ50mm)的加工特点,在磁流变抛光原理的基础上,设计了小型磁流变抛光装置。详细介绍了抛光装置中的工件运动机构的设计原理,并且通过三维建模从理论上验证了此设计的可行性。     

线损管理在线分析系统在供电企业的应用

充分利用其他系统提供的数据源,按照东北电网有限公司制定的线损管理要求及综合统计报表制度进行功能的设计,实现通辽地区（市）公司线损与统计专业送。配电量数据自动生成,不同电压等级计量点的数据在线实时统计分析,综合统计分析等,通过分析诊断制定技术降损措施,可为地区电网商业化运营提供决策数据,提高企业的管理水平和经济效益。本软件系统具有较强的线损率统计和分析功能,为线损管理提供安全可靠的技术保障。     

磁场强度对磁流变抛光表面粗糙度的影响

在自制的磁流变抛光实验装置中,通过被加工零件和Bingham凸起相对运动产生的剪切力来实现抛光.在该装置上进行工艺实验,研究了磁流变抛光技术中磁场对表面粗糙度的影响.比较了不同磁场强度下的磁流变抛光情况,以及表面粗糙度和抛光效率的差别,然后,通过采用不同磁场强度组合加工,使初始表面粗糙度(Ra)为400 nm的K9玻璃材料的平面,磁流变抛光30 min,表面粗糙度值达到了0.86 nm,提高了被加工零件的抛光效率和表面质量.     

面接触磁流变抛光中“彗尾”现象的分析

针对面接触磁流变抛光中产生的"彗尾"划痕产生原因和解决方式进行了探讨.通过对面接触磁流变抛光材料去除量公式的研究,分析出"彗尾"现象的产生是工件各点在闭合环带磁场内所处的磁场强度不停的变化所引起.以理论推导为依据,进行了工艺实验,实验结果表明"彗尾"划痕的产生受到工件与抛光头之间的相对速度、磁场强度和工件初始破坏层深度等因素的影响.最后通过组合实验的方式,解决了面接触磁流变抛光中存在的"彗尾"现象,使得工件表面粗糙度值降低到Ra0.56 nm.