Effect of chromium interlayer on magnetic exchange coupling of SmCo/Cr/TbFeCo multilayer thin films

A series of SmCo/Cr/TbFeCo multilayer thin films with perpendicular anisotropy were prepared by RF- magnetron sputtering system, and the effects of Cr interlayer thickness on magnetic properties and interlayer exchange coupling were investigated. It was found that the magnetic properties varied with the thickness of Cr interlayer, especially the values of saturation magnetization Ms and the coercivity Hc fluctuated periodically with the thickness of Cr interlayer. STM images revealed that the variation of coercivity Hc was attributed to the microstructure change of SmCo layer influenced by Cr interlayer, and the variation of Ms was related to interlayer exchange coupling.     

SmTbFeCo薄膜的制备及磁学性能研究

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了TbFeCo系列非晶垂直磁化膜,研究了溅射工艺对SmTbFeCo薄膜性能的影响。结果表明:溅射气压为0.5Pa、溅射功率为75W、厚度在100nm条件下所溅射形成的SmTbFeCo薄膜磁性最优。     

热辅助记录——新型超高密度记录方式的原理与研究进展

磁记录是当今信息社会主要的信息记录方式.本文综述了热辅助新型光磁混合记录介质的研究状况以及最新进展情况,重点介绍了垂直磁记录和光磁混合记录的原理和优缺点比较,并对光磁混合记录介质的发展前景进行了展望.     

溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响.测量结果表明,基片与靶间距为72mm,溅射功率为75W,溅射气压为0.5Pa,薄膜厚度为120nm时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力为477.6kA/m,克尔角为0.413°.     

Cu3N薄膜的制备与性能研究

采用反应射频磁控溅射方法,在玻璃基底上成功制备出了氮化铜（Cu3N）薄膜,并研究了溅射参数对Cu3N薄膜的结构和性能的影响,结果显示,随着溅射功率和氮气分压的增加,氮化铜薄膜的择优取向由（111）方向向（100）方向改变。随着基底温度从70℃增加到200℃,薄膜从Cu3N相变为cu相。紫外可见光谱、四探针电阻仪等测试表明,当溅射功率从80W逐渐增加到120W时,薄膜的光学能隙从1．85eV减小到1．41eV,电阻率从1．45× 10^2Ω·cm增加到2．99× 10^3Ω·cm。     

膜厚对GdTbFeCo非晶薄膜磁光性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了GdTbFeCo非晶薄膜,通过调节溅射时间制备出了不同厚度的薄膜,并研究了膜厚对薄膜磁光性能的影响。磁光特性测试仪的测试结果表明:溅射功率为75W,溅射气压为0.5Pa,薄膜厚度为120nm时,可以使GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力和克尔角达到较大值,分别高达4575.476Oe和0.393o。能满足磁光记录材料矫顽力大,磁光克尔角大的要求。