双温区生长CdSe单晶及其红外表征

硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料,实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长了Φ15mm×40mm,电阻率为107～108(Ω·cm)量级的硒化镉单晶体.对生长的硒化镉单晶体(110)解理晶片进行XRD、红外透过测试,结果显示:硒化镉单晶体完整性好,红外透过率＞62%,表明用二步提纯,在具有较好温度梯度的双温区炉中生长晶体,能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比.     

注射成型尼龙-铁氧体粘结磁体的SEM表征

分别以尼龙6和尼龙12作粘结剂,用注射成型法制备了铁氧体粘结磁体,并用扫描电子显微镜观察了磁体的形貌.实验结果显示,在本实验工艺条件下,能够得到包裹程度较好、致密度较大的注射成型粘结磁体.SEM是一种较好的观察注射成型粘结磁体形貌的表征方法,并能定性地说明磁体的成型性和磁性能.     

气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究

以晶体生长理论为基础，计算了气相提拉生长CdSe晶体时的生长速率。结果表明用提拉法气相生长CdSe晶体时，晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度，以后不再变化。由此，在选定温场的前提下，对CdSe单晶体的气相生长速度进行了优化，确定了3mm／d的生长速度，得到了平界面生长的尺寸为Ф20mm×30mm，电阻率高达10^9Ω·cm，且未观察到深能级陷阱的优质CdSe大单晶体.