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采用化学溶液法在沉积了ZnO种子层的SnO2:F导电玻璃衬底上,生长了ZnO纳米棒阵列。研究了1,3-丙二胺浓度对纳米棒阵列的形貌结构的影响规律。采用扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD)对ZnO纳米棒的表面形貌和晶格结构进行了表征。SEM结果表明纳米棒阵列垂直衬底表面生长,XRD结果表明纳米棒生长方向沿着[002]晶向,具有单晶结构。1,3-丙二胺浓度对制备得到的纳米棒形貌、长度等有明显调控作用。在优化条件下生长的ZnO纳米棒的长度大约7m,根部直径150nm,尖端直径大约10nm。研究了ZnO纳米棒阵列的光致发光(PL)特性。 相似文献
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Room-temperature ferrornagnetism was observed in(In0.95-xSnxFe0.05)2O3(x = 0-0.09) films deposited by pulsed laser deposition.XRD results give a direct proof that both Sn and Fe ions have been incorporated into the In2O3 lattice.The carrier concentration in the films is obviously increased by the Sn-doping,while the ferromagnetic properties are rarely changed.We think that in our Fe-doped In2O3 films,the oxygen vacancy-related bound magnetic polaron model,rather than the carrier-mediated RKKY coupling,is the main mechanism for the observed ferromagnetism. 相似文献
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用磁控溅射及光刻工艺制成了5μm×5μm的Co/Cu/FeNi三端结器件,测量了不同注入电流下样品的输出电压与外磁场的关系,发现其输出电压与外磁场的关系曲线表明样品具有自旋相关的双极输出信号,双极输出信号可达17μV。测量了输出电压与注入电流的关系,发现二者在电流比较小时呈线性变化,当电流比较大时偏离线性。 相似文献
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研究了制备态和退火态Zn1-xCoxO非匀质磁性半导体的极向克尔谱,发现通过调制样品成分和退火处理,可以大幅度调制极向克尔谱.退火后样品的磁光克尔旋转角得到显著增强,克尔角最大值达到0.72°,这是由于退火后样品变成了Co颗粒和Zn1-xCoxO磁性半导体的纳米复合体系. 相似文献