机械电子部第十三研究所成果鉴定会及学术年会简介

<正> 一九八八年十二月二十五日机械电子部第十三研究所召开了第二十次科研成果鉴定会,会上有二十一项成果通过了专家和使用单位的设计定型鉴定,其中五项通过了部级鉴定。这五项成果是(1)四种砷化镓超高速集成电路;(2)DL36型八抽头并入串出CCD时间延迟积分器;(3)WZ531型GaAs微波振荡功率场效应晶体管;(4)CX911型GaAs微波场效应晶体管;(5)WD351型微波线性功率晶体管。在这次鉴定会上专家和使用单位的代表一致认为:这二十一项成果全是国内领先和国内先进水平,并与国际上80年代初期和中期水平相     

X射线光刻法——一种新的高分辨率复印法

阻碍广泛采用提供高分辨率图形清晰度的扫描电子束光刻的两个问题是电子束光刻必须连续曝光所有的图形,以及电子束的设备复杂和成本高。显然,两者可通过新近发展的 X 射线光刻法来克服,用类似于接触影印光刻方法的 X 射线光刻可获得复印亚微米分辨率图形。还有一个优越性是容许掩模与祥片间有一定间隔。本文叙述了 X 射线光刻法并且对制作亚微米分辨率图形清晰度的实施的前途作了估价。     

具有p~+-栅和选择掺杂结构的低噪声AlGaAs/GaAs FET

已试制出具有p~+二栅和选择掺杂结构的低噪声AlGaAs/GaAs FET。采用了二维电子气的FET在MBE片上作成紧密间距电极平面结构。给出了0.5μm栅FET的室温性能:跨导为310mS/mm,在12GHz下噪声系数为1.2dB,相应增益为11.7dB。     

分布式同期回路在综合自动化系统变电站的应用

介绍了分布式同期操作回路在综合自动化无人值班变电站的实际应用 ,满足双端电源线路同期合闸操作的操作要求 ,解决了综合自动化变电站设计中存在双端电源的线路无法实现同期操作的的问题。     

n~+层与栅之间的间隙对CaAs自对准MESFET(SAINT)短沟道效应的影响

研究了不同 n~+层到栅之间的间隙对 GaAsn~+栅自对准 MESFET 的短沟道效应。栅长范围从0.1到1.5μm。制造特点是对 n~+层用自对准离子注入技术(SAINT)和电子束直接刻写。n~+层到栅之间的问隙是由充当n~+离子注入掩模的多层抗蚀剂的底层钻蚀过程控制的。研究表明短沟道效应如亚阈电流增加和阈电压负漂移,可扩大 n~+层到栅之间的间隙从0.15到0.3μm 而显著缓和。     

高跨导增强型GaAsMESFET的制造工艺

制造了一个改进的增强型GaAs MESFET,其中采用了减小源和漏寄生电阻的高剂量Si离子注入,以及用于控制阈电压和减小肖特基栅界面状态的Pt埋栅结构。获得的1μm栅长增强型GaAs MESFET的跨导为250mS/mm。     

11型微机零序方向保护的带负荷检查

微机型距离零序保护作为110—220kV大接地系统接地故障的主保护已在系统内得到推广，其中的零序方向保护在投产时往往由于原理不熟悉或接线错误而产生误判断，另外在正常运行情况下，没有零序电流和零序电压，也无法进行测试。因而零序方向保护投产时必须做好带负荷试验以防止因试验或接线错误等原因产生保护误动或拒动。11型微机零序方向保护带负荷测试之前，应先将高频、距离、零序保护的出口压板退出，并且退出距离保护，防止测试过程中距离保护频繁发信告警，保证对方向保护作出正确判断。对于微机型零序功率方向保护带负荷检查可从以…     

保证电容器过压继电器返回的措施

保证电容器过压继电器返回的措施湖州电力局陈锡君（３１３０００）并联电容器组，作为电力系统的无功补偿装置，在降损、节能、提高电力系统的功率因素和经济效益方面，起着重要作用。为防止电容器过电压损坏，一般设有过任继电保护，其动作整定值为１．１倍额定电压。目...     

开关分合闸回路的改进

由于开关辅接点不能可靠切换 ,致使开关的分、合闸线圈烧毁的故障时有发生。对于有人值班变电站 ,开关操作过程可就地监视 ,发现异常现象能及时处理 ,防止了故障的扩大。在无人值班变电站 ,开关操作可由远方和就地操作两种方式。当开关进行远方分、合闸操作 ,分、合闸回路发生故障时 ,因无法进行及时判别和处理 ,常造成故障的扩大 ,影响正常供电。因而有必要对此加以重视并予以解决。１故障原因分析目前 ,开关操作机构主要分为弹簧机构 ,电磁机构两大类。开关选择操作机构的不同产生危害程度也不同。开关的控制回路如图１所示。下面以开关遥…     

低噪声砷化镓金属-半导体场效应晶体管的制造与性能

用投影光刻制造亚微米栅砷化镓金属-半导体场效应晶体管,获得了在4千兆赫下噪声0.8分贝、6千兆赫下噪声1.3分贝、相关的增益至少9分贝的结果。