IGBT封装中几种局部过热问题的预防

为提高绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件在封装中的可靠性,研究了IGBT封装中容易引起局部过热的几种常见现象,提出了优化设计方法和研究分析。结果表明,适当的热设计对IGBT封装中可靠性有较大帮助。     

大功率超高速半导体开关的换流特性研究

研究了一种应用于激光驱动源的大功率超高速半导体开关反向开关晶体管(RSD)的新结构，以实现ms、ns脉宽、MW以上的高重复率脉冲的产生和控制。RSD具有大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点。利用单次脉冲试验平台研究了RSD的开通机理及高密度能量转换、允许通过的峰值电流、开通条件与预充、准静态损耗及其di/dt等多项特性。根据经验公式，对小直径RSD做极限电流试验，f 20mm的RSD堆体通过了19.9kA脉冲电流(脉宽30ms)。通过减小主回路电感考核了RSD的高di/dt 耐量特性，放电电压3kV时得到di/dt接近8kA/ms。     

晶闸管串联测试方法探讨

基于对快速晶闸管在逆变电路中串联失效的分析,通过变换联接形式、电流底宽、温度等试验条件来检验各种因素对晶闸管串联匹配的影响,提出一种晶闸管串联匹配的测试方案。     

高压双向晶闸管及换向特性研究

高压软启动、电气驱动和静态无功功率补偿等高压装置应用中,常需采用多只普通晶闸管反并联结构和多组串联,为减小体积和降低重量可采用高压双向晶闸管替代普通晶闸管的反并联,但集成于同一芯片的反并联晶闸管器件换向特性受载流子的影响较大。针对高压双向晶闸管的反并联应用需求,对双向晶闸管芯片结构开展分析,通过提高短基区浓度、采用pnp横向隔离结构、局部控制载流子少子寿命,提升了芯片抗干扰能力,成功研制出全压接式高压四端双向晶闸管,简化了反并联组件结构,降低了组件的体积、重量和成本。