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<正> 1986年我们研制了GaAs单片集成X波段低噪声放大器。GaAs基片采用南京电子器件研究所高压单晶炉拉制的大直径非掺杂半绝缘单晶,其电阻率大于10~7Ω·cm,利用汽相外延生长出低噪声MESFET所需的缓冲层、有源层和n~+欧姆接触层。低噪声MESFET采用了凹槽铝栅结构,栅长为0.6μm,栅宽为150μm。利用器件的结构参数,计算出其等效电路参数、散射参数和最佳噪声参数,电路的输入和输出匹配网络均采用典型的“Г”型网络,既能有效地减小电路的驻波比,又便于施加直流偏置。由于电路为小信号工作,微带线导带采用 相似文献
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Au/AuGeNi-GaAs欧姆接触工艺中,直接刻蚀Au/AuGeNi往往会出现一褐色层.本文叙述了对这一褐色层进行俄歇电子能谱学(AES)和化学分析电子能谱学(ESCA)研究结果.测定了比接触电阻. 相似文献
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阐述了价值链的概念、核心思想、组成和类型,探讨了价值链在施工企业中的应用,指出价值链分析的结果都是通过三类价值链之间的协同作用,共同为实现施工企业的管理目标服务. 相似文献
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通过对生态质量管理的内涵和特征、产生与发展过程的阐述,揭示了生态质量管理是建筑工程实现可持续发展的必然选择,也是其获得经济、社会和环境的综合效益的现实基础.研究了生态质量管理水平的评价方法,对建筑工程生态质量管理的实现有一定的指导意义. 相似文献
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