电接触与电接触材料(五)

介绍了电接触中α-斑点温升计算的基本方程,指出收缩区内(r~a)温升达至稳态的时间常数与材料热性能及斑点半径有关;在假设电接触材料的热导率及电阻率不随温度变化以及电接触材料的外表面为与外部环境无热交换的条件下,得出电接触附加温升的简单计算式,此时电接触温升只与材料的物理性质有关,而与尺寸形貌无关。重点介绍了考虑温度对电阻率及热导率影响时的V_T关系式,讨论了α-斑点附近温度场的计算结果。     

AlSiC电子封装材料及构件研究进展

AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装.综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展.     

电接触与电接触材料(三)

介绍了导电膜层（如电镀层）、污染膜层等对接触电阻的影响以及镀层不同时接触电阻的计算公式。从工程应用角度说明可以根据需要选用合理的镀层,根据接触电阻测试结果可以判断有无污染物的存在。重点介绍了双金属连接界面处金属间化合物层的形成机理、长大动力学,指出高阻值金属间化合物将明显提高接触电阻。     

Yb2O3粉体化学镀银研究

采用化学镀法制备Ag包覆Yb2O3复合粉末。利用场发射扫描电子显微镜(SEM)研究了还原剂、粉体预处理工艺对Yb2O3表面化学镀Ag镀覆效果的影响。研究了pH值、甲醛浓度、反应温度对Ag还原率的影响。结果表明:采用甲醛为还原剂,在经敏化活化后的Yb2O3粉体表面可以得到均匀致密的镀Ag层;通过调整pH值,选择适当的甲醛浓度,提高反应温度可以提高Ag还原率直至完全还原。     

AgMeO触点材料成分与组织的优化设计理论

全面介绍了燃弧电接触的失效模式及机理,详细分析了触点对电弧热力作用的响应机制,提出了影响AgMeO触点材料电气使用性能的成分、组织结构因素及其机理,根据影响触点材料电气使用性能的可表征的材料理化性能、成分、组织因素,建立了AgMeO触点材料成分与组织的优化设计原则。提出了AgMeO触点材料标准的修改建议。     

灰色聚类分析对贮氢电池性能的评定

用灰色聚类分析对正交试验的１６个贮氢电池性能、放电流量、循环寿命、大电流充放电、自放电等进行评定,按４个灰类归纳后判断聚类性能好坏,聚类结果与产品实际性能完全吻合。     

AlSiC电子封装基片的制备与性能

采用模压成形制备SiC预制件和真空压力浸渗相结合的技术,成功制备出AlSiC电子封装基片。研究磷酸铝含量和成形压力对SiC预制件抗弯强度和孔隙率的影响规律,并对所制备的AlSiC电子封装基片的性能进行评价。结果表明,在磷酸铝含量为0.8%,成形压力为200MPa时,经600℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为8.46MPa,孔隙率为37%。当温度为100~500℃时,AlSiC电子封装基片的热膨胀系数介于6.88×10-6和8.14×10-6℃-1之间,热导率为170W/(m·K),抗弯强度为398MPa,气密性小于1×10-8Pa·m3/s。用钯盐活化进行化学镀镍,得到光亮、完整的镀层。镀层于450℃恒温120s后,镀层不变色,未见起皮和鼓泡。