H型全封闭制冷压缩机的制造与试验

介绍了Ｈ型全封闭活塞式制冷压缩机的结构设计特点，可靠性措施以及试验结果。     

勘查砂金的最新技术KJ法

本文介绍了朝鲜民主主义人民共和国金策工业大学金致崇教授发明的根据磁场调查勘查砂金的最新技术(简称KJ法)。这项技术是不用钻探和井探,而只用仪器探出砂金的矿体形状、大小、埋深及品位。     

海藻酸纤维对Zn2+的吸附性能研究

研究了海藻酸纤维对Zn2+的吸附性能,对Zn2+浓度、温度、时间以及pH值等影响因素进行了分析。结果表明:吸附时间和温度对吸附平衡的影响较小,但Zn2+溶液的初始浓度和pH值的影响很大。初始浓度越大,吸附容量越大但去除率越小,pH值在5～7时去除率较大。Freundlich吸附模型比Lang-muir吸附模型能更好地模拟海藻酸纤维对Zn2+的吸附过程。     

汽车行业供应链管理文化——美国、日本和中国的比较

在文化对比研究的基础上,结合现有的汽车行业供应链管理理论,主要比较了美国、日本和中国三种不同的文化背景对各自管理价值观及管理模式发生的影响,探讨了不同的文化背景对汽车供应链凝聚力、领导方式、质量与劳动力成本以及结构稳定性等方面有何影响,以及最终对汽车供应链管理模式发生的影响.     

CMOS/SOS集成电路输入保护电路设计

本文描述了一种CMOS/SOS集成电路输入保护电路的设计方法。根据保护电路原理,计算了不同保护电路的保护能力,并用实验加以证实。     

基于忆阻器的乘法器电路设计

忆阻器作为一种非易失性的新型电路元件,在数字逻辑电路中具有良好的应用前景。目前,基于忆阻器的逻辑电路主要涉及全加器、乘法器以及异或(XOR)和同或(XNOR)门等研究,其中对于忆阻乘法器的研究仍比较少。该文采用两种不同方式来设计基于忆阻器的2位二进制乘法器电路。一种是利用改进的“异或”及“与”多功能逻辑模块,设计了一个2位二进制乘法器电路,另一种是结合新型的比例逻辑,即由一个忆阻器和一个NMOS管构成的单元门电路设计了一个2位二进制乘法器。对于所设计的两种乘法器进行了比较,并通过LTSPICS仿真进行验证。该文所设计的乘法器仅使用了2个N型金属-氧化物-半导体(NMOS)以及18个忆阻器(另一种为6个NMOS和28个忆阻器),相比于过去的忆阻乘法器,减少了大量晶体管的使用。     

磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺

针对磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(HEMT),进行了Ni/Ge/Au和Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au两种金属结构快速退火(10～40s)和长时间合金(10min)的实验.通过研究比较,得到了更适用于InP基HEMT器件制作的合金方法.利用Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au结构,在270℃下合金10min形成了典型值0.068Ω·mm的接触电阻.