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Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的欧姆接触研究 总被引:5,自引:0,他引:5
通过电流 电压 (I V)特性和传输线方法 (TLM )测量研究在n型GaN上淀积Ti/Al/Ni/Au电极形成欧姆接触的机制。Ni/Au作为Ti/Al的覆盖层起了阻止Ti ,Al,Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在 4 0 0℃到 90 0℃范围内 ,Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的接触电阻随温度升高先略有上升 ,到 5 0 0℃以后单调下降。而表面形貌却在合金温度高于6 0 0℃以后随温度升高逐步变差。通过两步合金法得到了n GaN上Ti/Al/Ni/Au形成的接触电阻低达 9.6 5× 1 0 - 7Ωcm2 。最后还对两步合金法形成n GaN欧姆接触的机制进行了讨论。 相似文献
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在化学机械研磨过程中,对半导体硅片的质量影响因素主要有研磨工艺(研磨盘压力、转速、浆料流量等)和化学机械研磨液的成分。本论文重点研究了化学机械研磨浆料的成分对硅片表面粗糙度、总厚度偏差(TTV)、拉丝、划道擦伤、清洁度的影响。通过实验可知:研磨浆料组成为:1%AEO_7;2%聚乙烯吡咯烷酮PVP K90;0.4%乙二胺四乙酸;2%四羟乙基乙二胺;20%PWA 10;74.6%高纯水,可以得到优异的研磨硅片质量。 相似文献
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以玉米淀粉为主料,在催化剂作用下,经双氧水室温氧化、糊化、交联,最终得到一种成本较低、性能优良的淀粉胶粘剂.通过正交试验,确定优化工艺条件为:淀粉乳浓度为15%(含50g玉米淀粉),氧化反应时间为120min,催化剂0.5g,糊化时间30min,硼砂1g,氢氧化钠6g. 相似文献
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叙述了精馏系统的组成及填料塔的优点,分析了合成香料减压间歇精馏的操作方法,包括精馏前的准备工作、精馏操作的主要内容、馏分的切割的判断方法和批次精馏结束时所采用的破真空的方法,总结了精馏过程中三个常用参数的变化对产品的影响,提出了精馏过程中异常判断与处理方法。 相似文献
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