焊接残余应力对压力容器疲劳裂纹扩展的影响

给出了焊接残余应力对压力容器疲劳裂纹扩展的影响,采用断裂力学理论分析疲劳行为,引用了裂纹张开率U和有效应力强度因子幅值△Keff的概念.     

半导体/SiO2纳米复合材料的溶胶-凝胶制备

总结了溶胶-凝胶法制备半导体/SiO2纳米复合材料的研究进展。目前,通过该方法已制备了镶嵌在SiO2玻璃中的II-VI族I、II-V族I、-VII族和IV族等半导体;形态上,除玻璃块体和薄膜外,还出现了核壳结构的纳米颗粒和同轴纳米电缆。     

聚羧酸大分子的合成及其对石膏强度的影响

以丙烯酸、丙烯酸甲酯、甲基丙烯磺酸钠及烯丙基聚氧乙烯醚为原料,过硫酸铵为引发剂,进行水相自由基共聚反应合成醚型聚羧酸大分子。合成产物对石膏具有明显的缓凝作用。加入质量分数0.2%(以石膏质量计)的合成产物改性的石膏块,养护时间为24 h时,其抗折及抗压强度比纯石膏分别提高31.1%和32.6%,吸水率比纯石膏降低了9.1%。     

缓凝型改性淀粉基减水剂的合成与性能研究

通过淀粉琥珀酸单酯合成了缓凝型改性淀粉基减水剂(SSHE),分析了SSHE的结构特性和空间位阻效应,研究了SSHE的掺量和凝结时间对水泥净浆的流动度以及对水泥粒子的ξ-电势的影响.结果表明:SSHE是一种具有强缓凝作用的新型减水剂.     

Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制

论述了Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制,其制备法分为物理法和化学法。物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法,化学法包括高温有机液相合成法、有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法等。其中高温有机液相合成法较易制备尺寸均一、稳定的半导体纳米晶,有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法设备简单、反应条件温和,具有广阔的应用前景。     

Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料的制备与尺寸控制

论述了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料的制备与尺寸控制,其制备法分为物理法和化学法.物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法,化学法包括高温有机液相合成法、有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法等.其中高温有机液相合成法较易制备尺寸均一、稳定的半导体纳米晶,有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法设备简单、反应条件温和,具有广阔的应用前景.