用于全固态锂电池的LiSiPON电解质薄膜的制备及电导性能研究

利用磁控溅射方法在N2气氛下制备出了LiSiPON电解质薄膜，研究了薄膜的结构、形貌和组成，着重探讨了薄膜中N含量对薄膜离子电导率的影响。随着N2分压的增加，薄膜中的N含量逐渐增加，0.53Pa时达到最大，超过此分压N含量又逐步下降。随着薄膜中N含量的增加，离子电导率提高，最大达10．4×10^-6S／cm（室温），这对固态电解质薄膜来说是足够了。为了测量电解质薄膜的电化学稳定性，组装了LiCoO2／LiSiPON／SnO2薄膜电池，显示出了良好的循环性能。     

开放式数控系统中软PLC的研究开发

软PLC是开放式数控系统中的重要组成部分，介绍了基于SERCOS的软PLC开发系统。将PLC的扫描执行转化为编译执行，大大提高了PLC的速度。     

射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜

~~射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜@冯贞健$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022 @邢光建$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022 @陈光华$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022 @于春娜$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022 @荣延栋$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022~~~~~~~~     

基于体积式密闭呼吸计测定塑料生物分解百分率的研究

利用体积式密闭呼吸计研究塑料生物分解百分率的测试方法,对活性污泥、培养液、添加量、试样形状等影响因素进行分析。结果表明,曝气池与沉淀池的污泥活性差异大,测试宜取曝气池的污泥;培养液中适量的试验培养基有利于微生物生物分解作用,选用初始上清液与标准试验培养基体积比为2∶1作为稀释液;测试材料的添加量以缩短周期且能获得平行性较好的结果为优选,选用0.4 g;粉末试样,可增加比表面积,从而加快微生物的分解作用,提高生物分解率。     

开放式数控系统中软PLC的研究开发

软PLC是开放式数控系统中的重要组成部分,介绍了基于SERCOS的软PLC开发系统,将PLC的扫描执行转化为编译执行,大大提高了PLC的速度.     

SAN/CPE/PC合金的制备与性能研究

利用氯化聚乙烯(CPE)弹性体、苯乙烯-丙烯腈(SAN)以及聚碳酸酯(PC)共混制备了高韧性的SAN/CPE/PC合金。研究了不同含量的PC对PC/SAN/CPE合金性能的影响。结果表明:随着PC用量的增加,合金的缺口冲击强度逐渐增加,拉伸强度逐渐降低。当SAN/PC的质量比为50/50,CPE质量分数为10%时,缺口冲击强度达到14 kJ/m2,接近于SAN/CPE二元体系CPE质量分数为40%时的缺口冲击强度。合金熔体质量流动速率随着PC含量的增加逐渐降低。     

静态热机械分析法测定液晶聚合物负荷变形温度的研究

建立静态热机械分析法(TMA)测定液晶聚合物负荷变形温度的方法。通过热重(TG)测试确定差示扫描量热法(DSC)测试的终止温度,通过DSC测试确定负荷变形温度测试的终止温度,由分析结果可知,负荷变形温度测试的终止温度不能超过样品的起始熔融温度;样品宽度比负荷杆的截面小,可得到所需的结果,而样品长度会对结果产生较大影响;负荷变形温度测试的起始温度应不高于27℃。此方法操作简单,所得结果重现性较好,具有良好的推广应用价值,还可以扩展热机械分析仪的应用范围。     

cBN/SiN-p异质结的电学性质研究

用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8～ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和氮气混合而成 ,固态硫 (S)通过加热蒸发混入工作气体 ,改变硫的加热温度可改变硫的掺杂剂量。为了测量异质结的电学性质 ,用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了 1 .5 mm× 2 .0 mm的铝电极。实验结果表明 ,c BN/ Si N-p异质结的 I-V曲线具有明显的整流特性 ,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合安德森理论 ,c BN/ Si N-p异质结的 C-V曲线也和理想异质结的 C-V特性非常接近。得到的 c BN/ Si N-p异质结的自建势为 4.71 V,c-BN薄膜层中的施主浓度为 6.5 0× 1 0 1 4/ cm3。     

立方氮化硼(c-BN)薄膜的光学带隙

用两步射频溅射法在n型Si(111)片和熔融石英片上沉积出不同体积分数的立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶红外吸收谱标识;用紫外-可见分光光度计测量了沉积在石英片上的BN薄膜的透射光谱T_e(λ)和反射光谱R_e(λ),薄膜的厚度用台阶仪测得。由透射、反射光谱计算了薄膜的光吸收系数a,进而采用有效的中间形式,确定了氮化硼薄膜的光学带隙。结果表明:随着c-BN体积分数的增加,光学带隙随之增大。确定出的光学带隙和经验公式的计算结果相吻合。