SnO2光敏,气敏元件的性能研究

报道了用常压蒸发法制备的ＳｎＯ２薄膜的光敏性能和用烧结法制备的圆珠状气敏元件的气敏性能。初步探讨了其结构与机理。指出进行集光敏、气敏全一体的传感器的研究。     

常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究

介绍了以SnO2 为主 ,掺入Al2 O3 ,MgO ,InO ,Pd等添加剂的常温CO气敏元件的制备方法。根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨。论述了传感器的信息传感机制 ,即晶界势垒控制和晶粒大小控制机制同时存在。为获得性能良好的气敏元件 ,需要最佳的制备方法和最好的添加剂     

SnO_2光敏、气敏元件的性能研究

报道了用常压蒸发法制备的SnO2薄膜的光敏性能和用烧结法制备的圆珠状气敏元件的气敏性能。初步探讨了其结构与机理。指出进行集光敏、气敏于一体的传感器的研究。     

硅大功率晶体管的微等离子击穿

本文研究了对硅功率器件合格率和可靠性影响最严重的微等离子击穿现象。利用电学测试,化学腐蚀、扫描电镜和离子微探针等方法分析了功率器件中微离子体的电学特性和结构。实验结果表明,微等离子击穿是发生在光刻缺陷、机械划伤和结晶缺陷等处;而绝大多数是发生在杂质集中的近表面缺陷处。文中进一步探讨了微等离子击穿及其发光的机理,并为寻求提高器件合格率提供依据。     

常温乙炔敏感振荡元件研究

报道了一种新型乙炔气体敏感元件。这种元件以Ｓｎｏ２为基体材料，工作在室温条件，对低浓度Ｃ２Ｈ２气体非常敏惑，对１０００ｐｐｍＨ２几乎没有气敏响应；其输出特性与一般加热元件明显不同，呈现为规律性极强的振荡波形，并对这种元件的气敏振荡机理进行了讨论．     

吩噻嗪基染料的结构改性及光伏性能

通过在吩噻嗪类基础染料PTZ-2的D单元上引入N-苯基吩噻嗪单元,构成D-D-π-A型染料分子PTZ-3。相比PTZ-2染料,PTZ-3染料的吸收光谱有所拓宽,其给电子性能也略有提升。通过DSSC器件光伏性能测试,PTZ-3的光电转换效率为5.5%,高于PTZ-2的4.9%。这一切都归因于N-苯基吩噻嗪单元的引入增强了光捕获性能与量子转换效率,同时末端的刚性结构在一定程度上起到了抑制暗电流的作用。     

吩噻嗪和吩噁嗪给电子体在染料敏化太阳能电池中的性能对比分析

本工作将两种氮杂蒽单元(吩噻嗪和吩噁嗪)应用到染料分子中,制备了两种简单的染料分子POZ-2与PTZ-2,重点对比分析了它们的光物理和电化学性能,并将两种染料分子应用到染料敏化太阳能电池中,分析它们光伏性能之间的差异。结果表明,基于吩噁嗪单元的染料分子POZ-2各方面性能(η=6.6%)皆优于基于吩噻嗪单元的染料分子PTZ-2(η=4.9%)。     

2#空分装置旁通空气量计算方法的探讨

淄博齐鲁比欧西气体有限责任公司的2#空分装置的膨胀空气旁通量无流量指示,因此无法知道其准确值。针对这一旁通空气量的计算问题,有两种计算方法:一是利用相似原理的计算方法,二是利用组分平衡原理的计算方法。对这两种计算方法进行比较,认为组分平衡原理方法可以较准确的计算出旁通空气量,并且将其进行了工业使用。     

低成本绒面硅太阳电池新工艺

在硅太阳电池的制备过程中,将光刻技术与化学镀镍技术结合,一步形成硅太阳电池的正面栅电极与背面电极接触,可缩短生产周期,降低成本,为减少栅电极覆盖面积,提高电池的电性能提供条件。     

SnO_2气敏元件常温振荡现象的研究

<正> 最近,我们在研究工作中发现,经过适当施主掺杂的烧结型SnO_2气敏元件,在无需采用加热回路直接在元件两端加几伏直流电压的情况下,通过元件的电流值便产生周期性变化的振荡现象。元件在空气中,通过元件的电流值呈减幅振荡,最后趋于一相对稳定值。将