常压CVD淀积非晶硅薄膜的研究

本文应用常压CVD法制备出了α-Si薄膜,它是非晶硅太阳能电池的良好材料。采用X射线衍射、扫描电镜、红外透射谱和X射线光电子能谱对α-Si薄膜的结构和性能进行了研究,并给出了α-Si薄膜的淀积理论模型。     

冷等离子体提纯硅的速率模型分析

应用反应动力学方法建立基元反应速率方程并按工艺条件进行耦合,得出了以宏观工艺参数表达的提纯速率方程,这种方程便于计算,能指导工艺优化并容易为工程师应用,计算结果与实验数据能较好的吻合。     

从粒子输运研究靶的溅射与中毒

从粒子的产生、输运及表面反应出发,建立总的输运模型并得到靶的溅射速率和化合物的复盖度。模型中都是以宏观工艺参数及反应室结构参数表达的,对薄膜材料的溅射淀积技术具有重要的应用价值。     

冷等离子体提纯硅粉薄层的实验研究

研究了冷等离子体提纯硅粉薄层时硅粉的粒度与硅粉薄层的厚度对提纯效果的影响,实验表明,硅粉的颗粒大小在60-80μm之间,硅薄层的厚度为0.5mm时提纯效果较好。     

APCVD制备非晶硅的关键工艺参数分析

本文提供以甲硅烷为源,用常压热CVD制备优质氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的研究结果。对于源流量、衬底温度和垂直于衬底方向上的温度梯度等因素对薄膜的生长速率及质量的影响进行了分析并得出一些重要的结论。由于热扩散传质的合理控制,在衬底温度为430℃的情况下,获得了生长速率为18nm/min的优质薄膜,这个结果是在同类工艺中所未见到过报道的。     

用冷等离子体结合湿法冶金制备太阳级硅材料

太阳级硅材料是制造廉价太阳电池的理想材料，冷等离子体提纯与湿法冶金是制造太阳级硅材料的两种重要方法，它们各有优缺点，使之结合起来则可以取长补短，大大提高硅材料的提纯效果，文中制备了纯度达5mol/L的硅材料，基本达到制造太阳电池的要求。     

反应溅射中的溅射产额研究

分析了溅射阔产频的影响因素，并建立了产额模型。该模型能反映各种宏观工艺参数，便于工程应用。对钛靶的计算结果表明与实验结果相符。     

冷等离子体对硅粉薄层纯化的动力学分析

利用提高硅粉薄层温度的方法，使冷等离子体对硅提纯达４Ｎ（９９．９９％）。本文用反应动力学的方法分析提纯机理，建立必要的方程以探讨影响提纯的因素。     

冷等离子体对硅-锗纯化的实验研究

本文通过实验证实了冷离子体对硅－锗粉末的纯化作用,并探索了放电电流、放电时间、加热温度、反应器内总压力等参数对纯化效果的影响。从而为工业应用打下一定基础。     

粉粒沉降过程中冷等离子体纯化效果研究

本文通过实验证实粉粒沉降过程中冷离子体的纯化作用,并探索了阴极板温度、放电电流、放电时间等参数对纯化效果的影响。从而为工业应用奠定了基础。