航道整治工程中基准站稳定运行的保障措施

基准站的设置是航道整治工程测量工作开展的第一步也是最重要的一步.架设基准站可以提高测量、定位精度降低测量成本.因此确保基准站在施工期间的稳定运行成为整个施工测量工作重心.     

0.50微米LDD PMOS工艺研究

为了保证高可靠亚微米ＶＬＳＩ的实现，必须有效地抑制ＰＭＯＳ严重的热载流子效应。本文对０．５０μｍ ＬＤＤ ＰＭＯＳ工艺进行了研究，表明，ＬＤＤ可有效地克服ＰＭＯＳ的热载流子效应和短沟道效应，并对ＬＤＤ结构进行了老化分析，得到了ＬＤＤ ＰＭＯＳ的优化工艺条件，并将这优化的工艺条件应用于亚微米集成电路的制造。     

火灾烟气杀人无形

洛阳"12·25"大火中的遇难者大多数衣着整齐,仅有面部被熏黑,这种现象说明火灾中的大多数死难者并不是被火直接烧死,而是由于烟气的危害造成的。火灾中烟气的主要成分是碳粉,还有大量的一氧化碳、二氧化碳、硫化氢等有毒气体,对人体危害很大。有资料显示,火灾时因缺氧、烟气侵害而造成的人员伤亡可达火灾死亡人数的50~80%。那么,烟气的危害主要有哪些呢？一是当烟气中的含氧量低于正常所需的数值时,人的活动能力就会减弱、智力混乱,甚至晕倒窒息。当烟气中含有的各种有毒气体含量超过人正常生理所允许的最低浓度时,就会造成中毒死…     

反应离子刻蚀多晶硅及其在集成电路中的应用

本文对以SF_6+A_r为反应气体的反应离子刻蚀(RIE)多晶硅工艺进行了研究。研究表明,SF_6+ArRIE多晶硅具有良好的各向异性、选择性以及较高的刻蚀速度,得到了0.40μm的多晶硅条,并且成功地应用于0.5～1.0μm CMOS集成电路的制作中。     

钝化层退火工艺引入的氢对P-Flash存储器耐久性的影响

研究了钝化层退火工艺引入的氢对P-Flash存储器耐久性的影响,建立了这一影响的物理模型,阐明了耐久性退化的机理。在四种不同测试条件下,对P-Flash存储器进行了编程/擦除的耐久性测试。测试结果表明,在高温且延时的条件下,器件的耐久性最差。耐久性与编程/擦除之间的延时相关,延时越长,耐久性衰减越严重。在器件编程后的延时过程中,SiO₂/Si界面处被氢原子钝化的硅悬挂键发生断裂。氢原子的不稳定性导致更多的界面陷阱电荷和氧化层电荷的产生,使得阈值电压负向偏移,造成负偏压温度的不稳定。通过优化BEOL工艺,可有效改善P-Flash存储器的耐久性。     

用于亚微米CMOS的轻掺杂漏工艺

本文研究了轻掺杂漏工艺对器件特性的影响。优化了轻掺杂区离子注入的剂量和能量。优化的ＳｉＯ２侧墙ＬＤＤ工艺有效地抑制了短沟道效应。研制成功了沟道长度为０．５μｍ的ＣＭＯＳ２７级环振电路，门延迟为１７０ｎｓ．     

深亚微米MOSFET二维数值模拟的若干结果

对溶亚微米器件，由于工作电压下降，要求重新确定ＬＤＤ和常规ＭＯＳＦＥＴ在ＶＬＳＩ中的作用。本文从基本器件数理方程发出，对深亚微米常规及ＬＤＤ ＭＯＳＦＥＴ的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟，指出了常规和ＬＤＤ ＭＯＳＦＥＴ各自的局限性，明确了在深亚微米ＶＬＳＩ中，ＬＤＤ仍然起主要作用。     

反应离子刻蚀（RIE）Si3N4的研究

反应离子刻蚀工艺是微细加工的普遍工艺,用开制做各种集成电路。本文对用CF_4+O_2为反应气体RIE Si_3N_4进行了研究,取得了较好的结果。