职业教育贯通“中高本衔接”人才培养模式研究

职业教育贯通“中高本衔接”是推动职业教育发展,实现应用型的高等职业本科层次教育,为我国产业结构调整以及社会经济水平提高输送高质量的应用型技术人才的重要抓手。文章以中高本衔接人才培养模式的种类、积极意义为切入点,从创建办学联盟,构建人才培养一体化方案和考核评价标准、建立核心课程标准、完善转段和接续机制、打造优质教育团队以及创建保障制度等方面对职业教育贯通“中高本衔接”人才培养模式进行探讨和分析。     

多孔硅掺杂的光学薄膜制备及发光性能分析

以提升硅的发光性能为目的,研究多孔硅掺杂的光学薄膜制备及发光性能。利用化学水沉积法,在多孔硅内掺杂硫化镉(CdS)金属,制备多孔硅掺杂的光学薄膜,并利用量子限制模型研究多孔硅掺杂的光学薄膜发光机理。通过光致发光测试仪与荧光/磷光分光光度计分析薄膜发光性能。结果显示：未进行金属掺杂的多孔硅内空隙较多,多孔硅掺杂的光学薄膜内空隙较小,空隙率随腐蚀处理时间延长逐渐下降。     

利用化学溶液法制备硫化铅薄膜及其特性研究

通过化学溶液法在玻璃基片上沉积硫化铅(PbS)薄膜,利用原子力显微镜(AFM)分析薄膜的表面形貌,采用X射线衍射(XRD)技术分析薄膜的结晶性能,利用透射光谱分析薄膜的光学性质.研究了退火对PbS薄膜性能的影响.结果表明:经过250℃退火处理,减小了PbS薄膜表面颗粒的平均高度,细化了PbS薄膜的晶粒大小,并改善了PbS薄膜表面形貌的均匀性;退火不改变PbS薄膜的晶体结构,其晶体结构依然是立方晶型;但退火后PbS薄膜的透过率明显降低.     

不同基底上银薄膜的光电学性质研究

用热蒸发的方法,分别在孔径约为200nm的多孔阳极氧化铝(AAO)模板和空白石英基片上室温沉积厚为25～200nm的Ag薄膜样品,研究膜厚对两种样品的微观结构和光电学性质的影响。微观结构利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观测,光电学性质应用分光光度计及Van derPauw方法检测。结果表明,石英基片上Ag(QuartzAg)薄膜的结晶性能比AAO模板上Ag(AAO-Ag)薄膜的结晶性能好,当厚为200nm时,AAOAg薄膜形成纳米颗粒的叠层结构;AAOAg薄膜的全反射率和QuartzAg薄膜的反射率均遵循随膜厚增加而增加的规律。在同一厚度和同一波长条件下,AAOAg薄膜的光学反射率比QuartzAg薄膜小很多,当厚为109nm时,在可见光和红外光区域,QuartzAg薄膜的反射率超过95%,而AAOAg薄膜的全反射率为40%;QuartzAg薄膜在厚度为25nm时已导电,而AAOAg薄膜的厚度为37nm时才开始导电。对于同一厚度,AAOAg薄膜的方块电阻比QuartzAg薄膜的大,随着膜厚的增加,它们的差值从厚为37nm时的4.90Ω/口逐渐减小到厚为200nm时的0.37Ω/口。     

氢氧化钾对PbS光学薄膜制备的影响

以三水醋酸铅、硫脲、KOH等为原料,利用化学浴沉积法制备PbS光学薄膜。通过原子力显微镜、X射线衍射仪及扫描电镜仪等仪器,测试KOH的浓度及其水解时间对PbS光学薄膜的影响。实验结果表明：KOH水解时间越长,PbS光学薄膜水解层越厚,PbS基体越薄;PbS的断裂伸长率、拉伸断裂应力及拉伸强度随着KOH水解反应时间的增加而降低。当KOH的浓度为2 mol/L时,生成晶体的规格最大、晶体结晶性能最优;当KOH的浓度为4 mol/L时,PbS光学薄膜成膜速率最快。