Sputtering-pressure dependence of magnetic properties in amorphous Tb_（40）（FeCoV）_（60） films

The Tb40(Fe49Co49V2)60 films were fabricated by magnetron cosputtering from a multiple target arrangement at different argon pressures.The samples were investigated using X-ray diffraction,magnetic force microscope and vibrating sample magnetometer.A strong perpendicular anisotropy was obtained for the sample prepared at 0.4 Pa.The easy direction of magnetization could be turned from perpendicular to in-plane direction either at high working pressures(P Ar >2.0 Pa) or by annealing at temperatures higher than 250 °C.An excellent magnetic softness with coercivity below 3 mT and saturating field of 20 mT in film-plane direction was obtained for the sample prepared at 0.7 Pa and then annealed at 350 °C.     

球磨Gd的输运性质和双磁热效应研究

为了研究无序对稀土Gd磁性能的影响，采用机械球磨技术将无序态引入到稀土金属Gd中，并系统研究了其结构、输运性质及磁热效应。无序导致磁化强度急剧降低，室温附近的等温磁熵变为6.4 J·kg^-1·K^-1，低于块体Gd(9.7 J·kg^-1·K^-1)。但同时在33 K出现另一等温磁熵变峰值，该磁熵变与球磨后Gd在低温下出现的团簇冻结有密切关系；在稀土金属中首次观察到欧姆行为的负巨磁电阻效应，该效应主要起源于无序边界区域的自旋相关散射。     

磁控溅射Fe/Bi_(0.8)La_(0.2)FeO_3薄膜的交换偏置特性

利用磁控溅射法在单晶Sr Ti O3(001)基片上外延生长多铁Bi0.8La0.2Fe O3(BLFO)薄膜,研究了Fe/BLFO双层膜平面内的交换偏置和矫顽力特性受单层Fe膜厚度的影响。研究表明,在所研究的温度范围内,BLFO薄膜具有纯钙钛矿结构的单向(001)特性,基片温度为680℃时沉积的薄膜具有优异的生长取向。随Fe层厚度的增加,薄膜的偏置场平缓增大,在Fe层厚度为10 nm时具有最大值32 Oe,继续增加Fe层厚度,其交换偏置场迅速减小,然而矫顽力随Fe层的增厚持续增大。交换偏置场随Fe层厚度的变化规律可能与磁畴结构的变化有关。     

V2O5含量对Bi2O3-V2O5复合添加NiCuZn铁氧体性能的影响

用传统陶瓷工艺制配了(Ni0.16Cu0.2Zn0.64O)1.02(Fe2O3)0.98铁氧体材料,研究了Bi2O3-V2O5复合添加对材料烧结特性和磁性能的影响.结果表明,复合添加bi2O3-V2O5能促进样品致密化、提高起始磁导率和品质因数.当添加0.3wt%Bi2O3、0.15wt%V2O5时,930℃烧结起始磁导率μi＞800、品质因数(94)、密度(5.12 g/cm3)都达到较大值,比同样配方只掺杂Bi2O3的NiCuZn材料明显提高.     

低功耗NiCuZn铁氧体的研究

用传统陶瓷工艺制备了Ni0.32Cu0.10Zn0.60O(Fe2O3)0.98铁氧体材料,研究了添加V2O5对材料烧结特性和磁性能的影响。结果表明,当V2O5为0.12%(w)时,晶粒生长均匀、结构较好。此时在50kHz、150mT、100℃测试条件下,功耗有最小值(275.7 kW/m3),其值为未掺杂损耗(689.5 kW/m3)的40%。     

V2O5含量对MoO3-V2O5复合添加NiCuZn铁氧体性能的影响

用传统陶瓷工艺制备了(Ni.016Cu0.2Zn0.64O)1.02(Fe2O3)0.98铁氧体材料,研究了MoO3-V2O5复合添加对烧结特性和磁性能的影响.结果表明,复合添加MoO3-V2O5能促进样品致密化,提高起始磁导率,并能降低功耗.当MoO3为0.15wt%、V2O5为0.15wt%时,930℃烧结起始磁导率(μ＞800)、功耗(305kW/m3)、密度(5.12g/cm3)都达到较大值.其值比同样配方只掺杂MoO3的NiCuZn材料明显提高.     

Bi_2O_3-Nb_2O_5复合掺杂对NiCuZn铁氧体性能的影响

运用Bi2O3-Nb2O5复合掺杂的陶瓷工艺,制备了NiCuZn铁氧体。从其微观结构出发,采用SEM分析手段,研究了Bi2O3-Nb2O5复合掺杂对NiCuZn铁氧体性能的影响。结果表明:适量的Bi2O3-Nb2O5复合掺杂,既有利于细化晶粒、促进晶粒均匀致密,又提高了品质因数Q,其磁性能明显优于单独掺杂。在掺杂总量的质量分数为0.5%、烧结温度为900℃、ζ(Bi2O3:Nb2O5)为7:3时,铁氧体的密度ρ为5.15g/cm3、起始磁导率μi为820.9、Q值可达110.5。     

V2O5含量对MoO3-V2O5复合添加NiCuZn铁氧体性能的影响

用传统陶瓷工艺制备了(Ni0.16Cu0.2Zn0.64O)1.02(Fe2O3)0.98铁氧体材料,研究了MoO3-V2O5复合添加对材料烧结特性和磁性能的影响.结果表明,复合添加MoO3-V2O5能促进样品致密化、提高起始磁导率和降低功耗.当MoO3为0.15wt%、V2O5为0.15wt%时,930℃烧结起始磁导率(μi＞800)、功耗(305kW/m3)和密度(5.12 g/cm3)都达到较大值,比同样配方只掺杂MoO3的NiCuZn 材料明显提高.