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通过对多元渗硼层形态、质量和抗蚀性的研究,从理论上和工艺上探索了单元渗硼易剥落的原因。经多次试验,证明多元渗硼层形态质量及抗蚀性都优于单元渗硼层。 相似文献
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位错的统计力学以及位错引起晶体的熔化理论 总被引:1,自引:0,他引:1
在位错对详细讨论的基础上建立一个晶体熔化的理论模型。该理论预测一级相变并得出晶体熔化温度的上限。引起面心立方结构和体心立方结构熔化的位错类型是不同的,前者是偏位错引起,后者是全位错引起。计算出22种立方晶体的熔化温度接近实验得出的熔化温度。提出了偏位错熔化温度低,这应当是面心立方比体心立方熔化温度低的原因之一。 相似文献
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位错引起晶体熔化的统计理论 总被引:1,自引:0,他引:1
建立三维晶体中缺陷引起晶体熔化的统计理论,讨论了三维晶体中的缺陷-位错对的形成篚过程,地无相互作用位错对“成核-篚”过程的统计计算,得到了理论相变温度Tc,中还从理论上证明了此相变为一级相变,并得到了相变潜势的计算公式,最后还对理论预言进行了实验验证.。 相似文献
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介绍了TiO2光催化降解有机污染物的基本原理以及光催化效率的影响因素,提出了一些改进措施,并讨论了今后TiO2在光催化降解有机污染物方面的研究动向. 相似文献
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以弹性力学的平面应力模型求解了材料的刃位错,论证了此解可描述薄膜材料的位错。与体相的位错结果比较表明,薄膜材料的位错具有较低的应力和较低的弹性能。将本文的结果应用于位错引起薄膜熔化理论,得到了薄膜的熔点低于体相的熔点。将薄膜中存在位错情况与材料表面情况进行类比,得出材料表面的熔点也将低于体相的熔点。 相似文献
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