排序方式: 共有9条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
2.
以偏钨酸氨为原料,采用喷雾干燥、焙烧、球磨和纯氨氮化工艺进行了氮化钨粉体制备研究.采用X-射线衍射仪、扫描电镜和激光粒度仪分析了制备过程中各阶段产物的物相、形貌、粒度及团聚形成的二次粒度.结果表明:采用喷雾干燥工艺、焙烧和湿磨工艺可以制备出粒度约为100 nm的WO3粉体,它在团聚后形成的二次颗粒平均粒度为0.64μm;采用纯氨氮化工艺可以在650℃下将这种粉体完全转变为WN,其晶粒尺度为35 nm,在常温下团聚后的二次平均粒度为6.4μm. 相似文献
3.
4.
壳聚糖与聚乙烯醇磁性水凝胶的制备和性能研究 总被引:5,自引:2,他引:3
采用反复冷冻-融化技术(冻融)制备了Fe3O4/PVA/CS磁性水凝胶,并以相同方法制备了不交联、不掺磁的PVA/CS共混水凝胶和交联、不掺磁的PVA/CS交联水凝胶,研究对比了三类水凝胶的溶胀性能、再溶胀性能和力学性能随组分配比及冻融次数的变化行为,并研究了Fe3O4/PVA/CS磁性水凝胶的磁性能.结果表明:随着交联剂和Fe3O4的加入和冻融次数的增加,水凝胶的溶胀率减小,再溶胀速率减缓,但力学性能却呈现出增大趋势.Fe3O4/PVA/CS磁性水凝胶各个样品的磁滞回线皆剩磁很少,矫顽力很小,且剩磁和矫顽力的大小取决于Fe3O4掺量的大小,与冻融次数基本无关,随着Fe3O4掺量的增加剩磁和矫顽力都增大. 相似文献
5.
以Au薄膜为催化剂、ZnO与碳混合粉末为反应源,采用碳热还原法在单晶Si衬底上制备了ZnO纳米线阵列.通过扫描电子显微镜( SEM)、X射线衍射仪(XRD)、荧光分光光度计对样品的表征,研究了反应源温度对ZnO纳米线阵列的定向性和光致发光性能的影响.样品在源温度920℃条件下沿(002)方向择优生长,定向性最好,温度过低不利于ZnO纳米线阵列密集生长,而温度过高导致Zn原子二次蒸发,因而也不利于纳米线阵列的定向和择优生长;样品在源温度880℃有最强的近紫外带边发射,表明温度过高和过低都不利于ZnO晶体结构的优化;由于ZnO纳米线在缺氧氛围下生长,氧空位是缺陷存在的主要形式,因此所有样品都有较强的绿光发射.温度升高导致纳米线生长速度提高而增加了氧空位缺陷数量,从而使样品绿峰强度增强并在源温度920℃时达最大值,但温度的进一步升高可导致ZnO纳米线表面Zn元素的蒸发而降低氧空位缺陷的数量,从而抑制绿峰强度. 相似文献
6.
太阳能多晶硅锭中夹杂的物相与分布特性 总被引:5,自引:0,他引:5
多晶硅锭中经常出现硬质夹杂颗粒,严重影响线切割硅片的表面质量,严重时造成硅片切割生产中断线.我们采用光学显微镜、扫描电镜特征X射线能谱仪、X射线衍射仪等手段对定向凝固多晶硅锭中的夹杂进行了分析.采用溶解硅基体后沉淀萃取的方法取得硅锭不同部位的夹杂.分析结果表明,硅锭中夹杂的物相主要有两种:β-SiC和β-Si3N4,SiC的数量较多;二者形貌有显著区别:前者呈不规则块状,而后者则呈平直杆状.硅锭的顶表面附近夹杂高度富集,但内部仍偶有大于100微米的较大的碳化硅夹杂颗粒出现. 相似文献
7.
衬底温度对掺锆酸钡高温超导YBCO薄膜结构和超导电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
高温超导氧化物YBCO外延薄膜在掺入少量锆酸钡(BaZrO3,BZO)后,其超导性能会得到较大幅度的提高.研究了不同衬底温度对掺BZO的YBCO薄膜的外延特性及超导性能的影响.以固相反应法制备了YBCO及BZO原材料,利用固相烧结工艺制备了BZO含量为2%(质量分数)的YBCO-BZO复合靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在LaAlO3(100)基片上外延生长YBCO薄膜.以不同的衬底温度制备了YBCO薄膜,用X射线衍射和高分辨透射电子显微技术对所制备的YBCO薄膜的外延特性进行了分析.最后比较了在不同衬底温度下制备的YBCO薄膜的超导性能,得到了最佳衬底温度. 相似文献
8.
9.
1