CZ-Si单晶中流动图形缺陷的本性探究

CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议.通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究.实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其尺寸、结构及类型与COPs、LSTDs缺陷都非常相似.所有这些都表明,FPDs为空洞型缺陷.本次实验结果将有助于对空洞型缺陷本性及其消除机制的进一步研究.     

大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展

概要介绍了近年来国内外对大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展,详细阐述了COPs、LSTDs和FPDs3种空洞型原生缺陷的基本性质、形成过程以及3种消除空洞型缺陷的方法．研究表明,利用高温快速退火（RTA）消除空洞型原生缺陷,是一种简单而有效的方法．