基于复数权值神经元的数字逻辑最稳健设计

复数权值神经元由于引入了多阈值逻辑而具有更强的性能,文中根据其数学模型,结合二进神经元稳健性的概念,提出了基于该神经元的稳健性定义.并结合定义,实现了基于单个神经元的基本数字逻辑以及异或运算的最稳健设计方案,从而证明了该稳健神经元实现任意数字逻辑的有效性和可行性,说明了其强大的处理能力.     

模拟电路MOSFET晶体管失配研究:模型和参数

MOSFET晶体管的精确匹配对模拟和混合集成电路最终性能至关重要,因此漏电流失配方差或标准差大小的计算伴随着MOSFET器件特征尺寸的减小一直不断地发展和演进.针对模拟集成电路设计中MOSFET漏电流失配,围绕模型和参数选取这一核心问题进行回顾、分析和总结,并说明其应用.同时研究其最新的进展情况及面临的问题,最后提出了...     

基于稳健神经网络的CMOS电路开关级设计

基于数字电路开关级设计的优越性、稳健布尔神经网络和开关级电路结构的相似性,提出了一种基于稳健布尔神经网络的互补金属-氧化物半导体(CMOS)晶体管电路的开关级设计方法.该方法通过神经元激活函数推导开关级电路的开关函数,同时引入神经网络中卡诺图化简和最小项限制的化简方法.所得电路可以和传统的开关级电路相吻合,电路结构清晰,并进一步减少了金属-氧化物半导体(MOS)晶体管的数目.     

基于阈值逻辑门的任意布尔函数综合

阈值逻辑门具有很强的逻辑功能及独特的优点,用阈值逻辑门实现数字逻辑函数也一直受到关注.该文在研究阈值逻辑门性质的基础上,提出了一种基于阈值逻辑门的任意布尔函数综合的新算法.该算法引入了神经网络的学习法则和化简规则,不但具有简单规范的特点,同时降低了实现数字逻辑函数的复杂性.体现了基于阈值逻辑门综合布尔函数的有效性和优越性.     

郑州图书馆新馆钢结构旋转楼梯施工方案研究

针对郑州市图书馆新馆钢结构旋转楼梯施工方案进行了研究,从设计蓝图的细化、构件的制作放样、现场的吊装、施工管理等方面进行论述,为今后钢结构旋转楼梯的制作、施工提供了一定指导。     

基于复数权神经元的布尔函数稳健学习算法

复数权神经元由于引入了多阈值逻辑而具有更强的性能.文中根据其数学模型,结合二进感知器神经元稳健设计概念,提出了该神经元的稳健性数学定义,并根据定义,得到了简单逻辑和异或逻辑的单个神经元稳健实现方案.然后根据该方案提出了任意复杂布尔函数稳健实现算法,同时证明了该算法的正确性.最后通过具体实例演示该算法实现布尔函数的过程和...     

随机掺杂波动引起纳米MOSFET漏电流失配模型

当MOS集成电路进入纳米特征尺寸,随机掺杂波动对集成电路性能至关重要,因此实现适应纳米工艺的MOSFET电流失配模型以早期预测器件性能显得十分迫切。本文研究了随机掺杂波动引起的阈值电压和有效迁移率变化的表达式,并应用一个经过改进的适用于65纳米工艺ALPHA律平均电流模型,通过HSPICE仿真的数据拟合并提取相关工艺参数,应用偏离传递公式实现了随机掺杂波动引起的MOSFET漏电流失配模型。在测试条件下,该失配模型计算的标准差与HSPICE的100次蒙特-卡罗仿真结果相比显示相对误差平均值为0.24%,相对标准差为0.22%。表明该失配模型有效分析了随机掺杂波动引起的物理传导机制,简单又能保证精度。     

基于MATLAB的神经网络数字逻辑设计及性能比较

文章利用神经网络实现基本的数字逻辑功能,并在MATLAB上进行了仿真。通过加入带有噪声的输入值以测试网络的稳健性能,这是一个比较和优化不同网络性能的过程。为了找到能够更好地实现基本数字逻辑的网络模型和训练算法,文中对感知器网络、BP网络和RBF网络做出了一系列的比较分析。尤其是对BP网络中的不同训练算法,均根据MATLAB的仿真情况文中做出了比较,结果可作为网络选用依据。     

改进型三值RTD量化器的设计

共振隧穿二极管RTD本身所特有的负阻微分特性使其成为天然的多值器件。介绍了三值RTD和三值RTD+HEMT的伏安特性以及三值RTD量化器和开关序列的工作原理,以RTD开关序列模型为指导思想设计出改进型三值RTD量化器电路,比原电路结构简单,仿真结果验证了设计的正确性。该设计方法不仅可以用于实现更简单和更灵活的三值RTD量化器,还能用于更高值的多值RTD逻辑电路的设计中。     

势阱势垒宽度对GaAs/AlGaAs对称DBS RTD NDR特性的影响

目前共振隧穿二极管(RTD)多值逻辑电路研究采用多个MOSFETs组合,以逼近RTD特性,这是现有逻辑功能验证的不足。针对该问题,通过建立对称双势垒RTD电子输运的解析模型,进而采用SILVACO TCAD对Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD器件的电学特性进行仿真实验研究。根据仿真实验的结果分析总结了势阱和势垒宽度对Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD负阻特性影响的规律,并根据MVL电路设计应用的低压、低功耗、适当峰谷电流比和工艺可实现性等要求,通过大量的仿真优化实验提出采用Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD实现多值逻辑电路设计所需的对称DBS RTD器件设计参数窗口。