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当前配电网网架建设多以规划期末年负荷水平进行规划,忽略了负荷发展的动态过程,容易造成配电网超水平建设,导致设备利用率低、投资时效不足等问题.针对此问题,定义了负荷释放概念,提出了一种考虑负荷释放过程的配电网网架结构经济性计算模型,该模型考虑了负荷释放过程中配电网动态的运行网络损耗和停电损失,从规划期整体出发,对配电网网架结构经济性进行定量评估.运用实际地区线路进行算例仿真,仿真结果表明,该模型可以有效评估不同网架发展过程中,配电网建设的经济性. 相似文献
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SiGe异质结双极晶体管频率特性分析 总被引:1,自引:1,他引:0
在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型.模型体现了时间常数与SiGe异质结双极晶体管结构参数及电流密度之间的关系,并且包含了基区扩展效应.同时对特征频率与上述参数之间的关系进行了模拟分析和讨论. 相似文献
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提出了一种新的SiGe CMOS结构,应用MEDICI软件对该结构CMOS器件的主要电学参数与其几何结构和物理结构参数的关系进行了模拟分析.根据模拟结果,讨论分析了应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组分及Si“帽”层厚度等结构参数对SiGe CMOS电学性能的影响,给出了该结构的几何结构和物理结构参数.同时模拟了SiGe CMOS倒相器的传输特性. 相似文献
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在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱. 经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1-xGex材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术相容,且更加简捷. 通过实验及对Si1-xGex材料样品掺杂浓度的现代理化分析验证了其可行性. 相似文献