考虑负荷释放过程的配电网网架结构经济性计算模型

当前配电网网架建设多以规划期末年负荷水平进行规划,忽略了负荷发展的动态过程,容易造成配电网超水平建设,导致设备利用率低、投资时效不足等问题.针对此问题,定义了负荷释放概念,提出了一种考虑负荷释放过程的配电网网架结构经济性计算模型,该模型考虑了负荷释放过程中配电网动态的运行网络损耗和停电损失,从规划期整体出发,对配电网网架结构经济性进行定量评估.运用实际地区线路进行算例仿真,仿真结果表明,该模型可以有效评估不同网架发展过程中,配电网建设的经济性.     

SiGe异质结双极晶体管频率特性分析

在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型．模型体现了时间常数与SiGe异质结双极晶体管结构参数及电流密度之间的关系,并且包含了基区扩展效应．同时对特征频率与上述参数之间的关系进行了模拟分析和讨论．     

应变Si_(1-x)Ge_x材料掺杂浓度的表征技术

在分析研究Si1 -xGex 材料多子迁移率模型的基础上,建立了Si1 -xGex 材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图.同时,通过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1 -xGex 材料掺杂浓度的技术.此表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术兼容,且更加简捷.此表征技术的可行性通过实验及对Si1 -xGex 材料样品掺杂浓度的理化分析得到了验证     

SiGe CMOS结构与模拟分析

提出了一种新的SiGe CMOS结构,应用MEDICI软件对该结构CMOS器件的主要电学参数与其几何结构和物理结构参数的关系进行了模拟分析．根据模拟结果,讨论分析了应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组分及Si“帽”层厚度等结构参数对SiGe CMOS电学性能的影响,给出了该结构的几何结构和物理结构参数．同时模拟了SiGe CMOS倒相器的传输特性．     

应变Si1-xGex材料掺杂浓度的表征技术

在分析研究Sil-xGex材料多子迁移率模型的基础上，建立了Sil-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图．同时，通过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究，提出了采用四探针法表征Sil-xGex材料掺杂浓度的技术．此表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术兼容，且更加简捷．此表征技术的可行性通过实验及对Sil-xGex材料样品掺杂浓度的理化分析得到了验证．     

分布式配电网故障停电快速恢复方法研究

传统配电网故障停电快速恢复方法因恢复时间较长而影响人们的日常用电.本文设计了一种新的分布式配电网故障停电快速恢复方法.分析了分布式配电网停电故障的特征,讨论了配电网停电故障的类型.优化了配电网停电故障快速恢复的流程,缩短了故障停电的时间.构建了配电网停电故障恢复的模型,提高了分布式配电网停电故障恢复的灵活性,实现了分布...     

宽禁带半导体金刚石

较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景.同时分析和比较了金刚石薄膜的各种制备方法,可以看出微波等离子体化学汽相沉积法是较好的制备金刚石薄膜的生长技术,并且分析了该技术的特点和优势.该法在保持适当氩气氛和施加衬底负偏压下还可进一步提高金刚石膜的生长速率和质量.对于金刚石异质(在硅衬底上)成核的基本机理也进行了分析.最后,阐述了研究金刚石半导体薄膜目前需要解决的关键问题及其发展方向.     

应变Si1-xGex材料掺杂浓度的表征技术

在分析研究Si1-xGex材料多子迁移率模型的基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图.同时,通过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1-xGex材料掺杂浓度的技术.此表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术兼容,且更加简捷.此表征技术的可行性通过实验及对Si1-xGex材料样品掺杂浓度的理化分析得到了验证.     

考虑虚拟电厂的分布式电源优化配置研究

为了分析大量分布式电源接入对配电网电能质量的影响,构建了考虑虚拟电厂的分布式电源配置电能质量优化模型,并提出一种PSO-DE优化算法进行求解.首先,对含有虚拟电厂电源的配电网进行了建模,分析了虚拟电厂电源接入对配电网的影响;接着,针对不利影响建立了包含电压偏差和畸变率综合最小为目标的电能质量优化模型;然后,改进传统粒子...     

四探针法测量应变Si1-xGex掺杂浓度

在对Si_1-xGe_x材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si_1-xGe_x材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱. 经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si_1-xGe_x材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术相容,且更加简捷. 通过实验及对Si_1-xGe_x材料样品掺杂浓度的现代理化分析验证了其可行性.