铁电薄膜平均极化性质的研究

是在热力学唯象理论的框架下,研究由两种铁电材料组成的铁电双层膜系统的极化性质.通过引入的两个参量:参量(描述铁电双层膜系统中两种铁电体的物理性能差异)和参量(描述铁电双层膜系统两种铁电体相变温度的差异),研究了不同温度和不同界面耦合系数条件下,铁电双层膜系统平均极化随这两个参量的变化情况.研究表明:参量增大时,铁电双层膜系统的平均极化随之增大.当取固定值时,平均极化随界面耦合系数增大而增大;随着温度t、参量的增大而减小.参量增大时,铁电双层膜系统的平均极化减小.当参量取固定值时,平均极化随着温度t的增大而减小;随着参量、界面耦合系数的增大而增大.     

元宇宙视域下“互联网+教育”的理论与实践探索研究

2 0 2 1年美国互联网巨头Facebook更名Meta，宣布进军元宇宙，随后众多互联网企业相继发布元宇宙产品，进行元宇宙领域探索。随着虚拟现实等新兴技术的迅猛发展，元宇宙快速地被尝试应用于不同领域之中。元宇宙的发展热度引起了教育界的广泛关注，并衍生出了“教育元宇宙”的全新概念。党的二十大报告在关于教育的重要论述里集中表达了科技对教育发展的重要支撑作用，在国家大政方针的引导下，随着新一代技术革命浪潮的到来，我国教育领域在教育模式和人才培养等诸多方面迎来巨大的发展契机。在“互联网+教育”理论提出后，教育信息化进行数字化转型的关键时期，本文结合元宇宙的特征，厘清元宇宙与教育元宇宙的概念关系，对元宇宙赋能教育领域的价值进行分析，预测教育元宇宙的未来布局方式，以供广大教育工作者了解教育元宇宙的相关概念，进一步理解元宇宙对于推动教育信息化转型升级、推进“互联网+教育”的重要意义。     

环境条件对植物乳杆菌降解生物胺的影响

本研究通过测定不同pH值、温度、乙醇含量以及NaCl含量条件对组胺、腐胺、尸胺降解的影响,探究是否与菌种在相应条件下的生长状况有关。建立一种测定生物胺降解的高效液相色谱-紫外检测法,通过丹磺酰氯衍生后,采用配有紫外检测器的高效液相色谱仪测定。结果表明,在p H 6.5时,组胺、腐胺、尸胺的降解率达到最大值,分别为23.76%,25.82%,23.76%。在37℃条件下,组胺、腐胺、尸胺的降解率分别为23.02%,24.22%,23.02%。乙醇体积分数为2%时,组胺、腐胺、尸胺的降解率分别为23.68%,24.65%,21.89%。NaCl质量分数为2%时,对生物胺的降解率分别为23.77%,24.62%,21.89%。     

高能球磨法制备纳米ZnO掺Fe稀磁半导体材料

稀磁半导体合金制备的基本思想主要是利用磁性离子部分地取代原来半导体中的阳离子.本论文利用高能球磨方法制备铁掺杂氧化锌,是通过高能球磨方法,球磨ZnO粉末,利用钢球及钢罐在球磨时撞击下的铁屑进行掺杂.XRD结果表明,随球磨时间的增加,10 h以前只有ZnO峰位,样品中铁峰在球磨10 h出现,46 h为最强,球磨136 h消失,46~136 h过程ZnO峰位向左偏移,在球磨达到172 h,样品中出现新相Fe0.85-xZnxO.振动样品磁强计测量样品具有室温铁磁性,磁性能随Fe含量的变化而改变.     

Sm,Pr双掺CeO2基固体电解质的合成及性能研究

利用溶胶-凝胶法合成固体电解质Ce_0.8Sm_0.2-xPr_xO_1.9 (x=0.02～0.08),通过用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、拉曼光谱（Raman）和交流阻抗谱对固溶体的微结构和电性能进行了表征。XRD分析结果表明：经800℃烧结2h后样品均为单相立方萤石结构,平均晶粒尺寸为35-46nm之间。AFM图像表明,样品晶粒近似球形,分布较均匀,Pr离子掺入后,空洞明显减小,当掺杂量x=0.08时,晶界有小颗粒生成,晶粒尺寸为2～8μm之间。Raman结果表明：Ce_0.8Sm_0.2-xPr_xO_1.9是具有氧空位的立方萤石结构,镨离子的掺杂有利于氧空位的形成。交流阻抗测试表明,随着Pr离子的掺杂量的增加Ce_0.8Sm_0.2-xPr_xO_1.9的电导率逐渐提高,活化能降低。     

铁电薄膜平均极化性质的研究

应用Ginzburg-Landau-Devonshire(G-L-D)理论,研究由两种铁电材料组成的铁电双层膜系统的极化性质.通过引入的两个参量:参量α(描述铁电双层膜系统中两种铁电体的物理性能差异)和参量γ(描述铁电双层膜系统两种铁电体相变温度的差异),研究了不同的表面过渡层和双层膜系统厚度的条件下,铁电双层膜系统平均极化随这两个参量的变化情况.研究表明:参量α增大时,铁电双层膜系统的平均极化随之增大.当α取固定值时,平均极化随双层膜厚度L、表面自由能随位置变化的速度λ增大而增大;随着表面过渡层厚度Ls的增大而减小.参量γ增大时,铁电双层膜系统的平均极化减小.当参量γ取固定值时,平均极化随着表面过渡层厚度Ls的增大而减小;随着参量α、双层膜厚度L、表面自由能随位置变化的速度λ的增大而增大.     

Synthesis and characterization of Ce0.8Sm0.2–xPrxO2–δ（x=0.02–0.08）solid electrolyte materials

Solid electrolytes Ce0.8Sm0.2–xPrxO2–δ(x=0.02, 0.04, 0.06, 0.08) were prepared by citric-nitrate method. The microstructure and electrical properties of such materials were examined by X-ray diffraction(XRD), atomic force microscopy(AFM), Raman spectroscopy(Raman), X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and impedance spectroscopy analyses. Specifically, results from XRD analysis showed that samples calcined at 800 oC for 4 h possessed single-phase cubic fluorite structure, and the average grain size was found to be 36–45 nm. Further Raman spectral analysis indicated that oxygen vacancies should be present in the cubic fluorite structure of Ce0.8Sm0.12Pr0.08O2–δ, and Pr-doping seemed to increase their concentration significantly. AFM images showed that the grain size grew with the increase of Pr substitution. XPS analysis confirmed the existence of oxygen vacancies in the lattice of Ce0.8Sm0.12Pr0.08O2–δ in which Pr3+ and Pr4+ co-existed. AC impedance spectra indicated that the conductivity of Ce0.8Sm0.2–xPrxO2–δincreased with the increase of Pr-doping but the conduction activation energy decreased. Notably, it appeared that sample Ce0.8Sm0.12Pr0.08O2–δ(σ600 oC=1.21×10–2 S/cm, Ea=0.77 e V) exhibited conductivity superior to Ce0.8Sm0.2O1.9(σ600 oC=2.22×10–3 S/cm, Ea=1.02 e V) because it possessed higher conductivity and lower activation energy. At 600 oC, the conductivity of Ce0.8Sm0.12Pr0.08O2–δwas 4.45 times higher than that of the un-doped material.     

Ce_(1-x)Ho_xO_(2-δ)(x=0.05～0.3)固体电解质的性能研究

利用溶胶-凝胶法合成固体电解质Ce1-xHoxO2-δ(x=0.05～0.30),采用X-射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)对样品的结构进行表征,利用交流阻抗谱测试掺杂稀土Ho对其电性能的影响.XRD结果表明:800℃焙烧的所有样品均为单相立方萤石结构,Raman光谱表明:Ce0.85Ho0.15O2-δ具有氧缺位的萤石结构,AFM照片显示Ce0.85Ho0.15O2-δ致密度较好,阻抗谱结果表明:掺入Ho3+提高了Ce1-xHoxO2-δ的电导率,Ce0.85Ho0.15O2-δ的电导率最高,活化能最小,600℃时的电导率为0.016 S·cm-1,活化能为0.92 eV,比未掺杂的CeO2的电导率提高了4个数量级.