Cu gettering to nanovoids in SOI materials

Silicon-on-insulator (SOI) materials have a number of inherent advantages over bulk silicon substrates owing to their high speed, low power complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) integrated circuits, such as immunity to radiation hardness, high speed, and high tem-perature tolerance [1]. Separation by implantation of oxygen (SIMOX), bonding and etch back (BESOI) and Smart-Cut are the leading technologies for SOI material fabrication. Transitional metal impurities such as Cu, F…     

AlN薄膜室温直接键合技术

采用离子束增强沉积技术在100mm硅片上制备大面积均匀AlN薄膜,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足直接键合的需要.同时,采用智能剥离技术成功实现了室温下AlN与注氢硅片的直接键合,形成了以AlN薄膜为埋层的SOI结构,即AlN上的硅结构(SOAN).用扩展电阻、卢瑟福背散射-沟道、剖面透射电镜等技术分析了所形成的SOAN结构.     

AlN薄膜室温直接键合技术

采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)为 0 .13nm ,满足直接键合的需要 .同时 ,采用智能剥离技术成功实现了室温下 Al N与注氢硅片的直接键合 ,形成了以 Al N薄膜为埋层的 SOI结构 ,即 Al N上的硅结构 (SOAN) .用扩展电阻、卢瑟福背散射 -沟道、剖面透射电镜等技术分析了所形成的 SOAN结构.