PECVD MNS结构电特性的研究

对等离子化学气相淀积的氮化硅薄膜电特性进行了研究。在高电场范围,电传导主要是由Pool-Frenkel发射机构引起的。SiN薄膜的介电强度为5.2×10~6 V/cm。利用MNS电容器的平带电压,计算得界面态密度为3.1×10~(12)/cm~2·eV。     

对转换层结构施工技术措施的探讨

本文以某高层建筑工程为实例,对高层建筑转换梁结构施工进行了分析,并提出了相应的措施。     

对转换层结构施工技术措施的探讨

本文以某高层建筑工程为实例,对高层建筑转换梁结构施工进行了分析,并提出了相应的措施。     

耐熔金属硅化物

近年来,随着集成度的提高,线宽变窄,栅极布线电阻和互连电阻对延迟时间的贡献增大,大大限制了IC的速度,因此,有关电极和布线等金属化的新材料和新技术的开发成为一个十分迫切的问题。耐熔金属硅化物由于导电率高、高温稳定等优点已经引起人们的注目。本文详细综述了耐熔金属硅化物的性质、形成方法、工艺技术以及在VLSI中的应用,并对其前景进行了展望。     

高温退火对PECVD硅化钛膜的影响

<正> 一、引言 以TiSi_2为代表的难熔金属硅化物,由于具有铝及掺杂多晶硅所不具备的特点,已成为VLSI中制作栅电极和互连线的重要材料。CVD法制备硅化钛膜的突出优点是台阶覆盖性好,有利于批量生产。然而,用卧式PECVD制备硅化钛膜的方法至今尚未见报道。 PECVD法淀积的硅化钛膜,必须经退火结构才能稳定。目前,常用瞬态退火和常规热退火(高温退火)两种方法。常规热退火能和常规工艺兼容,而瞬态退火则可减少原子的互扩散。 笔者用平板型PECVD设备,在典型工艺条件下淀积了薄膜,分析了高温退火对薄膜电阻率、组分、结构的影响。     

氮化硅钝化膜中氢的作用

利用红外吸收光谱法,测量了氮化硅膜中的氢浓度。在钝化前后,对MOS结构界面性质及MOS器件特性进行了研究。结果表明:氮化硅膜中的氢浓度对MOS结构界面态影响较小,这主要是在淀积过程中,进入SiO_2层中的氢元素较少的缘故。钝化改善了CMOS器件的性能。     

浅析超前钢管桩技术在深基坑支护中的应用

本文结合工程案例对超前钢管桩在深基坑支护工程中的应用。     

量子线电子波导特性的讨论

电子波导器件是今后量子线十分重要的应用领域之一。本文从薛定谔方程出发，得出了有关量子线中传输电子特性的一组约束方程，也即描述量子线电子波导特性的方程组，用数值法求解该隐含方程组，可以得到电子能量Ｅ、传播常数β的关系曲线和量子线结构参数ｄｘ、ｄｙ之间的关系。     

氮化硅对器件钝化作用的研究

SiH_4-N_2系等离子增强化学气相淀积方法生长SiN(PECVD法),我们用这种方法对器件进行了钝化,并对钝化前后的器件性能进行了研究,结果表明:SiN对半导体器件具有良好的钝化效果。     

Si3N4／SiO2辅助介质剥离膜的研究

提出了利用Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层介持膜作为ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎ－ｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）剥离工艺中的辅助剥离膜，研究结果表明，采用Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层介质剥离膜，易于形成倒剪口剖面，金属剥离效果良好，是一种非常有效的辅助剥离膜。