图案化聚苯乙烯一维纳米结构阵列的研究

采用紫外光刻技术对阳极氧化铝(AAO)模板进行图案化,再采用 AAO 模板物理浸润技术,以聚苯乙烯(PS)溶液浸润图案化的 AAO 模板,制得图案化的 PS 一维纳米结构阵列;采用扫描电子显微镜对图案化的 AAO 模板和 PS 一维纳米结构阵列进行表征。表征结果显示,通过紫外光刻技术,可以制得有清晰图案的 AAO 模板,模板上有直径为5μm的圆形图案,圆形图案间的距离也为5μm;以质量分数10.0%的 PS 溶液浸润图案化的 AAO 模板,当光刻胶用量为0.2 mL 时能得到图案化的 PS 一维纳米结构阵列;当光刻胶用量为0.3 mL 时,只能制得光刻胶的纳米结构阵列,不能制得图案化的 PS 一维纳米结构阵列。     

铜金属纳米线的制备及其图案化

采用电化学沉积法在孔径为200nm的阳极氧化铝膜AAO模板中成功制备了Cu金属纳米线阵列、结合紫外线光刻法组装了图案化铜纳米线阵列.电化学沉积法可通过控制沉积时间来获得具有不同长径比的铜纳米线阵列;图案化的纳米线排列规整,高度有序;且纳米线组成的形状与掩膜相同.     

纤维体积分数对3Al2O3.2SiO2f/ZL107复合材料高温蠕变的影响

主要研究体积分数分别为0%、8%、20%的3Al     

图案化铜纳米线阵列的制备

采用紫外光刻法制得图案化的阳极氧化铝模板。在模板上蒸镀金膜后,采用电化学沉积法制备了铜纳米线,用扫描电子显微镜观察,研究了最佳电化学沉积时间。结果表明,铜纳米线阵列的图案与掩膜的图案完全一致,呈直径约5μm的圆形。铜纳米线的长度随沉积时间的增加而增长,沉积时间20min,即可制得长度约5μm的铜纳米线阵列结构。在此基础上可研制微器件。     

纤维体积分数对3Al_2O_3·2SiO_(2f)/ZL107复合材料高温蠕变的影响

主要研究体积分数分别为 0 %、8%、2 0 %的 3Al2 O3·2SiO2f/ZL10 7复合材料在 30 0℃的蠕变行为。结果表明 :随着纤维体积分数的增加 ,复合材料的蠕变抗力提高。复合材料比基体合金有更高的蠕变应力指数和表观激活能 ;复合材料的蠕变门槛应力与短纤维体积分数有关 ,大的体积分数导致大的蠕变门槛应力