混凝土动态受压力学特性的试验研究与数值分析

采用MTS液压伺服系统对C30、C40两种混凝土进行了不同应变速率下的单轴抗压试验,系统研究了应变速率对混凝土抗压强度、弹性模量及应力应变曲线的影响,给出了描述混凝土在应变速率影响下的抗压强度变化的表达式;并应用有限元法,对简支梁进行了结构动力响应分析,结果表明:两种强度混凝土的抗压强度、弹性模量随着应变速率的增加呈明显增加的趋势,混凝土在动态荷载作用下的应力应变曲线与静态荷载下的应力应变曲线具有很好的相似性;同时,动态荷载作用下,梁中应力发生重分布,应变速率对混凝土结构的动力响应具有显著的影响,需要在混凝土结构设计中充分重视荷载动力效应的分析.     

光CVD-SiO_2薄膜的研究

本文论述了光化学气相淀积(光CVD)SiO_2薄膜的原理及方法。用光CVD技术在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO_2薄膜。对薄膜的物理性质和化学性质进行了讨论。结果表明:光CVD技术在半导体低温化工艺中将很有前途。     

3UCVD SiGe工艺的神经网络模型

介绍了用于生长SiGe材料的 3UCVD设备的简要情况。对 3UCVD工艺系统构建了神经网络模型 ;基于误差反向传播 (BP)学习算法设计了一种自动调整网络结构和训练精度的网络训练方法 ;利用 3UCVD工艺实验的数据样本编制程序 ,对数据样本进行了训练拟合 ;并利用训练后的网络进行了工艺预测 ,网络预测的结果和实验结果符合良好     

3UCVD SiGe工艺的神经网络模型

介绍了用于生长SiGe材料的3UCVD设备的简要情况。对3UCVD工艺系统构建了神经网络模型；基于误差反向传播（BP）学习算法设计了一种自动调整网络结构和训练精度的网络训练方法；利用3UCVD工艺实验的数据样本编制程序，对数据样本进行了训练拟合；并利用训练后的网络进行了工艺预测，网络预测的结果和实验结果符合良好。     

低温光CVD—SiO2及SiN薄膜的研究

本文介绍了在低温(50～200℃)条件下,用光CVD技术制备SiO_2及SiN薄膜的工艺方法.讨论了某些工艺参数与薄膜性质的一些关系,并对光CVD-SiO_2及SiN薄膜的物理性质和电气性质进行了全面的分析.结果表明,这种低温光CVD薄膜在半导体器件工艺中将有广泛的应用.     

三维土工网垫植草护坡效果的影响因素试验研究

采用室外边坡模型正交试验方法,综合比较分析了土工网垫类型、草籽播种密度、边坡土质、边坡坡度等4个因素对坡面的最终侵蚀模量、浅层土抗剪强度和平均渗透系数3个试验指标的影响显著性,并给出了各因素对试验指标的敏感性顺序,进而应用综合加权评分法得出护坡效果最好的试验组合.分析结果显示,坡度为1∶1.5、网垫型号为EM4、土质为粉质黏土、草籽喷洒密度为预设最大密度时,边坡侵蚀模量最小、坡面浅层土抗剪强度和渗透系数最佳.     

UVCVD/UHVCVD技术制备SiGe HBT材料

介绍了一种新的制备SiGe/Si材料的化学气相沉积技术．该技术组合了紫外光化学气相沉积和超高真空化学气相沉积两种技术的优点,具有超高真空背景和低温淀积的特点．应用该技术在10^-7Pa超高真空背景、450℃淀积温度及低于10Pa反应压力的条件下,外延生长了器件级SiGe HBT材料．SIMS分析表明,材料层界面清晰,Ge组分和掺杂分布平坦．此外,还研制出了SiGe HBT器件．     

紫外光能量辅助CVD的反应机制

以二氧化硅，氮化硅薄膜为例论述了紫外光能量辅助化学汽相淀积的反应机制。二氧化硅薄膜的组成为纯ＳｉＯ２；氮化硅薄膜中含有氧元素，组成氮氧化硅。     

简支转连续钢-混组合梁桥负弯矩区设计及工程应用

以国内某座简支转连续钢-混组合梁桥为依托,提出了一种简支转连续结构负弯矩区构造设计方案。采用有限元分析和实桥试验相结合的方法,对简支转连续钢-混组合梁桥负弯矩区的受力性能进行分析,验证了该构造设计的可行性,最后就负弯矩区改善开裂的措施进行了探讨。研究结果表明,对于钢-混组合连续梁桥,简支转连续的施工方法与焊接连续施工方法相比,可减小墩顶负弯矩;承载能力极限状态时,负弯矩区混凝土最大裂缝宽度满足规范要求;桥面板钢筋直径以及混凝土自身力学特性是影响负弯矩区开裂的关键因素,适当加大桥面板钢筋直径、采用超高性能混凝土可以有效减小简支转连续钢-混组合梁桥负弯矩区混凝土的开裂;顶升支座法可以在一定程度上减小墩顶负弯矩,对控制开裂有利。