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用400 keV能量的铒离子垂直注入晶体硅(Si)样品中。利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400 keV、剂量为5×1015ions/cm2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。测出的实验值和TRIM 98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM 98模拟计算的理论值符合较好。 相似文献
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采用第一性原理平面波超软赝势,计算了纤锌矿ZnO和不同浓度的V掺杂ZnO晶体的能带结构、态密度和分波态密度.计算表明,V的掺杂导致ZnO晶格发生了微小膨胀,禁带宽度变窄,体系引入的杂质能级靠近导带底,费米能级进入了导带并且穿插在杂质能级中,自旋态密度分布具有不对称性,自旋向上的电子数比自旋向下的电子数多,对态密度进行积分后发现V掺杂ZnO体系表现出净磁矩,具有磁性.当V掺杂后,V-3d态电子与O-2p态电子的态密度分布大部分重合,形成了pd杂化. 相似文献
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C10H18N2O4Pt结构和性质的密度泛函理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
C10H18N2O4Pt是奥沙利铂的一种新型的衍生物.采用密度泛函理论DFT-B3LYP方法研究C10H18N2O4Pt的全优化构型、电子结构和IR谱;6-31++G**基组用于计算非金属原子,金属原子则采用赝势基组lanl2dz计算.分析了红外振动频率并以0.96为频率校正因子对频率进行修正.根据计算可知,分子中N16和N20原子有强的亲核活性,Pt19原子有强的亲电活性,得到了C10H18N2O4Pt分子的HOMO轨道图和IR谱.这些为进一步研究C10H18N2O4Pt提供了理论依据. 相似文献
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用400 keV能量的铒离子垂直注入晶体硅(Si)样品中.利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400 keV、剂量为5×1015ions/cm2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布.测出的实验值和TRIM'98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM'98模拟计算的理论值符合较好. 相似文献
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