基于g-C_3N_4光催化剂缺陷设计的改进策略

类石墨相氮化碳(g-C_3N_4)是一种共轭聚合物半导体,独特的π共轭结构使其具有良好的光催化活性,成为光催化领域的研究热点。虽然g-C_3N_4具有化学稳定性高、制备方法简便、成本低等优点,但是由于其具有可见光吸收不足、光生载流子分离效率低、比表面积不足等缺点,使其在实际应用中受到较大限制。因此通过不同的方法对g-C_3N_4进行改性修饰成为近年来的该领域的研究重点。本文综述了近年来有关通过构建异质结、元素掺杂、形貌改变、碳材料负载等方法提高g-C_3N_4的光催化活性的研究,阐述了相关杂化材料的增强光催化机理,并对今后的研究进行了展望。