基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术

提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱结构转移到了GaAs基底上。X射线衍射及荧光谱显示,键合后的多量子阱晶体质量未变。二次离子质谱(SIMS)和Raman光谱图显示,GaAs/InP键合晶片的中间层厚度约为17 nm,界面处B元素有较高的浓度,键合晶片的中间层很薄,因此可以得到较好的电学、光学特性。     

新结构雪崩光探测器的特性仿真及后工艺优化

报道了一种在倍增区引入AlxGa1-xAs带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光探测器,并提出优化其后工艺制作的新方法.通过将Al0.4Ga0.6As(28 nm)一Al0.2Ga0.8As(10 nm)-GaAs(50 nm)带隙梯度结引入雪崩探测器的高场区,可以实现对探测器噪声和频率响应两个主要性能的优化.数值仿真表明,该结构探测器具有较小的噪声(有效离化系数为0.1),约33 GHz的3 dB带宽(增益为5),在增益为15时可获得420 GHz的增益带宽积.在实际的后工艺制作中,提出使用苯并环丁烯树脂进行InP/空气隙DBR反射镜与雪崩探测器结构粘合的方法,简化了工艺流程.

摘要：

     

粒／巨噬细胞集落因子在中耳胆脂瘤中的表达和作用研究

为探讨粒／巨噬细胞集落因子（ＧＭ－ＣＳＦ）在继发性中耳胆脂瘤中的表达情况，分析其在胆脂瘤上皮增殖、骨质破坏特性中的作用 ，应用免疫组化ＳＡＢＣ染色方法和计算机图像分析法，检测２５例胆脂瘤上皮和１０例正常外耳道皮肤中ＧＭ－ＣＳＦ的表达情况。,GM-CSF在２２例胆脂瘤上皮细胞的全层细胞的胞浆中有强表达，阳性率为８８％；ＧＭ－ＣＳＦ在１０例正常外耳道皮肤上皮中有弱表达，阳性率为４０％。染色结果经计算机图像分析仪定量分析，两者的平均光密度分别为２．３３２和１．４７４，差异呈高度显著性（Ｐ＜０．０５）。说明中耳胆脂瘤上皮中ＧＭ－ＣＳＦ的含量显著高于正常外耳道皮肤的含量。推测ＧＭ－ＣＳＦ可能参与了胆脂瘤的发生、发展及可能参与了胆脂瘤上皮增殖、骨质破坏的作用。     

InGaAs/Si雪崩光电二极管

采用Si/InP低温晶片键合技术,设计并制作了InGaAs/Si雪崩光电二极管.器件利用InGaAs做吸收层,Si做增益层,光敏面大小50μm×70μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压为41 V,暗电流为99 nA,此时光电流比暗电流高3个数量级.     

基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术

提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱结构转移到了GaAs基底上。X射线衍射及荧光谱显示,键合后的多量子阱晶体质量未变。二次离子质谱(SIMS)和Raman光谱图显示,GaAs/InP键合晶片的中间层厚度约为17 nm,界面处B元素有较高的浓度,键合晶片的中间层很薄,因此可以得到较好的电学、光学特性。     

蓄电池智能巡检系统开发

蓄电池智能巡检系统能实现对蓄电池在浮充状态、克放电动态过程中的状态检测,对蓄电池内部开路、短路、过压、欠压及过度放电等异常状态及时报警,提高了对蓄电池监测的准确性、自动化和智能化程度。