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报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7~1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值. 相似文献
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重点讨论了现代无线通信中关键元器件之一滤波器的发展进程,中、高频及微波滤波器的主要类型及性能特点。低损耗、高介电常数陶瓷在RF和IF滤波器中的应用,能够实现无线设备的微型化。对制备滤波器的介质陶瓷材料的要求是:在所使用的波段内,相对介电常数r要大,可缩小介质元件的尺寸;品质因数Q要高,可获得良好的滤波特性及通讯质量;谐振频率的温度系数f接近于零或可调节,以达到整机电子回路的要求。 相似文献
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本文通过分析MIS开发中传统的结构化系统分析与设计方法存在的问题,阐述了采用面向对象方法进行MIS系统分析与设计的优势,并简单介绍了应用于系统分析和设计的面向对象的建模技术(OMT)。 相似文献
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