fmax为30.8GHz的超薄Al2O3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件

报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽120μm,栅压为+3.0V时最大饱和输出电流达到720mA/mm,最大跨导达到130mS/mm,开启电压保持在-5.0V,特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz.     

MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析

研制出在蓝宅石衬底上制作的MOS AIGaN/GaN HEMT.器件栅长1um,源漏间距4um,采用电子束蒸发4nm的Si02做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导为172mS/mm,ft和fmax分别为8.1和15.3GHz.MOS HEMT栅反向泄漏电流与未做介质层的肖特基栅相比,在反偏10V时由2.1×10-8mA/mm减小到8.3×10-9mA/mm,栅漏电流减小2个数量级.MOS AIGaN/GaN HEMT采用薄的栅介质层,在保证减小栅泄漏电流的同时未引起器件跨导明显下降.     

远离平衡态玻璃的弛豫

本文阐述了关于远离平衡态玻璃(即急冷玻璃)弛豫的最新研究进展.结合实例,介绍了测量及计算急冷玻璃假想温度和冷却速度的新途径.急冷-退火-热扫描的方法是探索玻璃中能量和结构非均匀性的理想手段.如果对一个适当退火的急冷玻璃升温差热扫描, 将会先后出现预吸热峰, 释放急冷中储存在玻璃中能量的放热峰,以及玻璃转变吸热峰.介绍和分析了预吸热峰的几个典型特征, 并与玻璃转变吸热峰的特征进行比较,这对理解玻璃弛豫的非指数和非线性特征是极其关键的.用急冷-退火-热扫描方法在硅酸盐玻璃获得的数据,可在一定程度上揭示水的玻璃转变现象.急冷强玻璃和弱玻璃在弛豫行为上体现出本质差别,本文对其差别的结构和能量根源进行了讨论.退火度对急冷玻璃的振动态密度具有明显影响,并通过显微结构因素对这一影响进行了分析.     

硅酸盐玻璃辐照后的光吸收和电子自旋共振研究

近年来,随着原子能工业和电子工业的发展,用于高能辐射环境中的玻璃愈来愈引起材料科学家们的重视,对其耐辐射和防辐射等性能的要求也愈来愈高。因而,许多研究者对玻     

MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析

研制出在蓝宅石衬底上制作的MOS AIGaN/GaN HEMT.器件栅长1um,源漏间距4um,采用电子束蒸发4nm的Si02做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导为172mS/mm,ft和fmax分别为8.1和15.3GHz.MOS HEMT栅反向泄漏电流与未做介质层的肖特基栅相比,在反偏10V时由2.1×10-8mA/mm减小到8.3×10-9mA/mm,栅漏电流减小2个数量级.MOS AIGaN/GaN HEMT采用薄的栅介质层,在保证减小栅泄漏电流的同时未引起器件跨导明显下降.     

fmax为30.8GHz的超薄Al2O3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件

报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽120μm,栅压为 3.0V时最大饱和输出电流达到720mA/mm,最大跨导达到130mS/mm,开启电压保持在-5.0V,特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz.     

玻璃让未来更美好

玻璃是人类发明的最古老的材料之一.玻璃的发明被认为是人类历史上最伟大的事件,玻璃也是世界文明史的见证.剑桥大学历史学家Macfarlane在他的著作《The Glass Bathyscaphe》的扉页写道:"我们多数人对玻璃漫不经心.但是请想象一下你早上醒来发现玻璃完全消失,或者根本不曾发明玻璃的世界吧.所有的玻璃器具...     

基于老年人视角的园林植物景观 营造的因子分析

以基于老年人视角的园林植物景观的营造为研究对象,采用问卷调查在南京市玄武湖公园研究老年人所关注的影响园林植物景观的因子,运用主成分分析法,使用SPSS22.0对问卷数据进行分析,最终得到5个符合老年人需求的园林植物景观因子,分别为植物景观的基础框架、植物保健与文化、植物景观竖向设计、植物具有特异性观赏性状及植物色彩因子。本研究结果可对构建满足老年人需求的植物景观设计提供借鉴与参考。     

f_(max)为30.8GHz的超薄Al_2O_3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件(英文)

报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaNMOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽120μm,栅压为 3.0V时最大饱和输出电流达到720mA/mm,最大跨导达到130mS/mm,开启电压保持在-5.0V,特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz.