多孔硅红外光激发上转换兰光特性

采用电化学腐蚀法制备多孔硅（ＰＳ），测量了ＰＳ在近红外光（８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＰＬＥ）谱，结果表明ＰＳ具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长，在一定期了内峰值强度有明显的增强，这种非线性光这响应的增强，被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关，硅片初始电阻率赵低发光强度越大。     

大直径低阻NTDSi单晶退火工艺研究

研究了大直径(φ50～75mm)低阻(5～15Ω·cm)NTDSi单晶的退火行为,讨论了大剂量中子辐照(～10~(18)n/cm~2)硅退火中“中照施主”形成与消失的条件,提出了合理的退火工艺.     

大剂量中子嬗变掺杂直拉硅中施主及缺陷能级的研究

用低温Hall、深能级瞬态谱仪和红外吸收谱仪研究了大剂量中子嬗变掺杂直拉硅中的深能级电子陷阱和浅施主能级。对这些深浅能级的形成和退火行为进行了研究。发现由于大剂量中子辐照而产生的浅施主是与氧、碳及氧的微沉淀有关的硅-氧-碳络合物。并对大剂量辐照所导致的各种深能级电子陷阱的结构进行了讨论。