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采用电化学腐蚀法制备多孔硅(PS),测量了PS在近红外光(800nm)激发下的光致发光(PL)谱和光致发光激发(PLE)谱,结果表明PS具有良好的上转换荧光特性,并随着存放时间的延长,在一定期了内峰值强度有明显的增强,这种非线性光这响应的增强,被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关,硅片初始电阻率赵低发光强度越大。 相似文献
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用低温Hall、深能级瞬态谱仪和红外吸收谱仪研究了大剂量中子嬗变掺杂直拉硅中的深能级电子陷阱和浅施主能级。对这些深浅能级的形成和退火行为进行了研究。发现由于大剂量中子辐照而产生的浅施主是与氧、碳及氧的微沉淀有关的硅-氧-碳络合物。并对大剂量辐照所导致的各种深能级电子陷阱的结构进行了讨论。 相似文献
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