硅三极管电子辐照的残余电压效应

研究了双极型晶体管（BJT）高能电子（1。5 MeV）辐照的总注量效应,电子辐照的总注量为5×10¹³～1.2×10¹⁶ cm^-2。实验结果表明,三极管经电子辐照后,有残余电压产生,残余电压随电子总注量的增加而增大。认为是由于辐照后产生的缺陷能级导致的去载流子效应使得BC结自建电势差变化量大于BE结,以及缺陷能级使BC结导带差变化量大于BE结这两方面原因引起的。