水平式MOCVD系统生长速度均匀性的研究

本文讨论了影响生长速度的因素,如主载气流量、金属有机源流量(在一定蒸气压下),衬底放置位置,及掺杂和非掺杂情况等.对实验结果进行了计论,并与其它文献进行了比较.着重阐述了改善侧向均匀性问题.     

半导体激光器材料的MBE生长

本文概述了我们最新引进的英国VG公司制造的V80H型分子束外延（MBE）设备的技术特点和性能，主要介绍了我们利用这套设备所进行的半导体激光器材料的生长研究工作。     

外延技术在半导体激光器中的应用

本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法：液相外延（ＬＰＥ）、金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ）,分析了各自的特点和局限性。介绍了我们在高功率半导体激光器研究方面所取得的一些进展,并比较了国内外的水平差距。     

MOCVD生长前的衬底处理实验研究

本文通过实验研究,讨论了实验参数对衬底表面形貌和MOCVD生长样品质量的影响,与文献所给实验条件进行了比较。     

国产MO源的GaAs、GaAlAs的MOCVD生长

本文报导了采用国产MOCVD装置和MO源材料生长GaAs、GaALAs多层结构的实验情况,探索MOCVD装置和MO源材料全部国产化的途径,初步获得比较满意的结果,为器件的研究奠定初步基础。     

大光腔GaAs/Ga_(1-x)AlxAs激光器阈值功率特性研究

通过大量实验,研究了大光腔半导体激光器结构参数对阈值、功率的影响,得到了最佳设计的结构参数。实验数据与理论相吻合。     

量子阱半导体激光器材料的MBE生长研究

本文阐述了分子束外延（ ＭＢＥ） 技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ 设备, 实现了单量子阱（ＳＱＷ） 和多量子阱（ ＭＱＷ） 半导体激光器外延片的生长, 并对外延片的电学和光学特性进行了测试和分析。