偶联剂KH550、TMS对纳米Mg的活化效果与活化机理

选用 KH5 5 0、TMS等偶联剂对纳米 Mg进行活化处理后 ,将其与 PP熔融共混制备了纳米 Mg/PP复合材料。力学性能测试结果表明 ,钛酸酯类偶联剂 TMS对纳米 Mg的活化效果好于硅烷类的 KH5 5 0 ,TMS的最佳用量为填料质量的 2 %。通过 FTIR光谱分析了 TMS与纳米 Mg粒子间的作用机理     

SnS纳米及微米晶的制备及结构表征

用溶剂热法制备了SnS带状纳米晶和管状微米晶,通过XRD、SEM、TEM等方法对所制备的SnS纳米及微米晶的结构、形貌及组成进行了表征。结果表明,采用Na2S为硫源,乙二醇作溶剂,可制得宽度50~300 nm,长度1~1.5μm的单一晶型的SnS纳米带;采用硫脲为硫源,乙二胺作溶剂,聚丙烯酰胺作分散剂,可制得孔径为0.4~0.8μm,长度达十几微米的管状SnS微米晶。     

辅助加热PCVD—TiN薄膜的性能及结构分析

研究了反应气体对辅助加热ＰＣＶＤ－ＴｉＮ薄膜制备的影响。结果表明,提高反应气体中ＴｉＣｌ４薄膜内的氯含本不变。     

纳米TiO_2/SBS/PS复合材料的制备及性能

采用钛酸酯偶联剂对 Ti O2 进行表面处理并与聚苯乙烯 ( PS)共混改性。利用红外光谱和透射电镜考察了偶联剂与 Ti O2 之间的相互作用。研究了 Ti O2 的含量、弹性体SBS的含量对复合材料的力学性能和流动性能的影响。结果表明 :纳米级的 Ti O2 在 PS树脂中具有较好的分散性 ,对 PS有增韧作用 ,且 SBS/Ti O2 /PS三元体系的性能要优于Ti O2 /PS和 SBS/PS二元体系 ;同时 ,纳米级的 Ti O2 可改善 PS的流动性能     

三氧化钼纳米带的简易合成与表征

在不添加表面活性剂,无模板的情况下,以钼粉和双氧水为原料,采用90℃水浴的方法制备三氧化钼纳米带。用X-射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM)对产物进行表征。结果表明,反应产物均为三氧化钼纳米带,且纳米带尺寸均匀,宽度为80～100nm,厚度为20nm,长度为5～30μm。研究还发现,合成条件如反应时间,反应介质对产物的形貌有一定影响。     

钼掺杂五氧化二钒纳米带的制备及表征

分别以金属Mo粉为钼源、V2O5为钒源和以MoO3为钼源、NH4VO3为钒源,通过低温水热法合成了不同形貌的钼掺杂V2O5纳米结构。用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱(EDS)对产物进行表征。结果表明,反应产物均为正交V2O5纳米带,且纳米带的尺寸均匀,宽度100~400 nm,厚度10~40 nm,长度可达到几十微米。研究还发现它们的掺杂量是不同的,分别为3%和2.1%。     

等离子体化学气相沉积反应中对温度因素的控制

采用了外加热式直流等离子体化学气相沉积及渗金属工艺并在放电工件上直接测温的方法，克服了高于轰击加热引起的温度不均匀等因素并且膜的结构及力学性能得以改善。     

家电用HIPS/nano-TiO_2多功能复合材料的性能

研究了家电用HIPS/nano TiO2 多功能复合塑料的加工流变性、母料分散性、吸光行为、抗菌、分解内毒素、分解异味气体及自清洁特性。结果表明 ,使用质量分数在0 5 %～ 2 0 %的nano TiO2 的复合材料加工流动性优于HIPS ;经EVA蜡改性的HIPS/nano TiO2 母料可得到良好分散效果 ;HIPS/nano TiO2 制品表现出良好的紫外吸收能力 ,nano TiO2 质量分数在 1 .0 %左右时 ,制品具有较好的抗菌、分解内毒素效果、分解异味气体及一定的表面自清洁功能     

PCVD-TiN涂层及其钢基体的热处理

在Ｃｒ１２钢基体上用ＰＣＶＤ法沉积ＴｉＮ涂层后，再进行热处理强化基体的研究。结果表明，热处理后，ＰＣＶＤ ＴｉＮ涂层的显微硬度略有提高。Ｘ射线衍射分析表明，经过热处理后，ＰＣＶＤ ＴｉＮ涂层的晶体结构更趋于完整，其晶面间距也更接近或达到ＴｉＮ晶面间距的标准值。同时，ＰＣＶＤ ＴｉＮ涂层的致密性有所增加，其（２００）晶面织构有所增强。而且，经过热处理后ＰＣＶＤ ＴｉＮ涂层与基体结合良好。     

辅助加热PCVD-TiN薄膜的制备及影响因素

研究了反应气体对辅助加热ＰＣＶＤ ＴｉＮ薄膜制备的影响。结果表明,提高反应气体中ＴｉＣｌ４的含量可以提高薄膜的沉积速率,而且对薄膜内的氯含量没有影响。提高反应气体中的Ｖ（Ｈ２）／Ｖ（Ｎ２）可以略降低薄膜内的氯含量,在Ｖ（Ｈ２）／Ｖ（Ｎ２）＝２,ＴｉＣｌ４的体积分数为１０％左右时ＴｉＮ薄膜的硬度最高。随着反应气压的升高,沉积速率呈正比上升而显微硬度却下降。