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在高真空条件下采用Ti-35Zr-35Ni-15Cu(质量分数/%)钎料对SiC陶瓷进行了钎焊连接,研究了接头界面组织的形成过程以及工艺参数对接头性能的影响。结果表明:钎料与SiC陶瓷发生了复杂的界面反应,生成了多种界面产物。当钎焊温度为960℃,保温时间为10min时,SiC陶瓷侧形成了连续的TiC和Ti5Si3+Zr2Si层,同时Ti5Si3+Zr2Si向钎缝中心生长呈长条状。SiC陶瓷到接头钎缝中心的显微组织依次为:SiC/TiC/Ti5Si3+Zr2Si/Zr(s,s)/Ti(s,s)+Ti2(Cu,Ni)/(Ti,Zr)(Ni,Cu)。钎焊温度为960℃,保温时间为30min时,长条状的Ti5Si3+Zr2Si贯穿了整个接头。钎焊接头强度随着钎焊温度的升高和钎焊时间的延长都呈现先增大后减小的趋势。当钎焊温度为960℃,保温时间为10min时,接头的剪切强度最高,达到了110MPa。 相似文献
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基于“北斗”卫星定位系统的舰船监控系统 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了双星导航定位系统的原理,然后根据双星定位系统的特点提出了一种基于双星定位系统的舰船监控系统的框架,并讨论了其在海军指挥自动化系统中的应用。 相似文献
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采用自蔓延连接方法,在真空炉中利用中间层14Al-2Ni-3CuO实现了Cf/Al复合材料与TiAl合金的连接.在连接接头中,靠近TiAl侧,中间层与TiAl生成TiAl3;靠近Cf/Al侧,中间层与Cf/Al生成 NiAl3;在Cf/Al复合材料中,中间层的Ni原子扩散到复合材料中,在Cf/Al也有 NiAl3生成.连接温度对接头界面组织及接头强度影响较大,随着连接温度的升高,中间层与TiAl生成的TiAl3层厚度明显增加.接头抗剪强度先逐渐增大,在550℃时最高可达26.9 MPa,当连接温度达到600℃时,接头的抗剪强度迅速降低.连接温度较低时,断裂多发生在靠近中间层的TiAl侧;连接温度较高时,断裂多发生在靠近中间层的Cf/Al复合材料侧. 相似文献
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广义互相关(GCC)算法是目前进行时延估计(TDE)的常用算法,文章首先对广义互相关时延估计算法中几种加权函数进行了分类论述,进而对部分加权函数进行仿真,最后通过综合比较揭示了它们各自的优缺点。 相似文献
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