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本文提出一种极宽频带的 YIG 小球—带线耦合结构。理论分析指出:其 Q_e 值在频率比1:20范围内的涨落小于0.4。据此研制了0.8—15GH_z 的多倍频程带通滤波器样品,插损一般小于8 db;3 db 带宽30～40MH_z;隔离度大于30db。所提出的结构原理对其他频段的器件也能适用。 相似文献
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本文在 BicaVIG 单晶组成的基础上,用离子代换法,设计了 BiCaInVIG 单晶的组成:{Bi_(3-2X)Ca_(2X)}[Fe_(2-y)In_y](Fe_(3-X)V_X)O_(12)其中 X=1.3,0相似文献
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利用YIG单晶作为谐振器,研制出了三公分波导型磁调带通滤波器,耦合腔体采用侧壁耦合型式。在x波段,(f_0±0.5)GHz频率调谐范围内,器件的插入损耗除高端带边频率在2.4db外,其余频率都在2db以下。三分贝带宽为30±5MHz,阻带衰减(f_0±100HHz)除个别频率点外,其余都在35db以上。器件具有结构紧凑、坚固和体积(50×55×45mm~3)小等特点,经频率32～500c/s振幅2毫米过载8g振动试验器件仍完好。温漂每度约1.2～1.5MC。 相似文献
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本文介绍了利用多道脉冲分析器所组成的单晶闪烁γ谱仪的某些基本性质的研究。为了要获得较好的分辨率的单晶闪烁γ谱仪,除必须挑选一块较好的晶体和光电倍加管外,还必须改善实验条件。文章首先介绍了从15块 NaI(Tl)晶体中挑选出一块晶体(48×40),其对 C_S~(137)的0.661Mev 能量的γ射线分辨率为9.7%或对 C_o~(60)1.33Mev 峯的分辨率为6.5%接着就光电倍加管的工作电压的选取作了研究,实验指出,在光电倍加管额定最高允许电压下,在相当宽一段电压范围内能量分辨率几乎是常数。其次研究了源与晶体间的距离和晶体与光阴极间接触好坏对谱仪的能量分辨率的影响。实验指出:源(有准直孔的点源)与晶体间的距离对谱仪的能量分辨率影响不大;晶体与光阴极间的接触好坏,对谱仪的能量分辨率有较大的影响。在实验过程中还发现一块晶体,在使用约50小时后,其能量分辨率显著变坏。最后利用这一谱仪测定了 C_o~(60),C_S~(137)等同位素的γ射线能谱曲线, 相似文献
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