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应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小. 相似文献
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在进行PNP型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益。文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并进行结果分析,认为其它条件相同时,梯形分布的PNP SiGe HBT的放大系数最大,而且梯形和三角形随Ge的增大而增大,但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小,本文从能带结构和势垒角度对此进行讨论。 相似文献
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More attention has been given to the MOS-gated thyristor and several device struc-tures of MOS-gated thyristor have been reported,such as MOS-controlled thyristor(MCT) [1 ] ,depletion-mode thyristor (DMT) [2 ] ,field assisted turn-off... 相似文献
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SiGe异质结双极晶体管频率特性分析 总被引:1,自引:1,他引:0
在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型.模型体现了时间常数与SiGe异质结双极晶体管结构参数及电流密度之间的关系,并且包含了基区扩展效应.同时对特征频率与上述参数之间的关系进行了模拟分析和讨论. 相似文献
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目前,应变Si1-xGex薄膜材料杂质浓度尚未有准确且简便易行的测试方法。为了快速准确地确定应变Si1-xGex薄膜材料的掺杂浓度,在研究应变Si1-xGex材料多子迁移率模型的基础上,采用Matlab编程模拟仿真,求解并建立了不同Ge组分下应变Si1-xGex薄膜材料掺杂浓度与其电阻率的关系曲线,讨论了轻、重掺杂两种情况下该关系曲线的变化趋势。通过Si1-xGex薄膜材料样品的四探针电阻率测试及电化学C-V掺杂浓度测试的对比实验,对本关系曲线进行了验证。 相似文献