干法腐蚀损伤研究

采用 RIE 法,利用 PIN 光电二极管,研究了干法腐蚀损伤机理及引起损伤的主要因素。由于离子轰击及电子、紫外线辐射,形成了腐蚀面的损伤和沾污。射频功率的大小对表面损伤起着主要作用。用退火方法可以降低损伤程度,甚至可以消除小功率作用下的损伤。     

高压光开关器件的设计

详细叙述了一种高压光电晶闸管的结构及参数设计 ,用最优化方法确定出长基区宽度 ,选取了最佳的工艺途径及材料参数。简单介绍了实验研究及结果 ,并进行了简要的讨论。     

基于10 Gbit/s应用长波长光电二极管

设计制作了一种基于10Gbit/s应用的正照平面结构的InGaAs/InPPIN高速光电二极管.该器件带宽达到19GHz,响应度>0.75A/W,暗电流<5nA,结电容<0.15pF.组件测试表明,器件适用于高速光通信及测量系统中对1310nm和1550nm波长光的探测.     

基于2.5 Gbit/s应用长波长雪崩光电二极管

设计并制作一种基于2．5Gbit／s应用的分离吸收区和倍增区结构的InGaAs／InP雪崩光电二极管(avalanche photodiode,APD),该APD具有低击穿电压VBR(典型值为40 V)和低暗电流(反偏电压为0．9 VBR时典型值为1 nA)的显著特点,适合低工作电压的应用场合,如小型化的SFP和SFF光通信模块．组件测试结果表明,该APD具有高的饱和光功率和灵敏度,适用于2．5Gbit／s及以下光通信及测量系统中对1310 nm／1550 nm波长光的探测．