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介绍一种采用可编程CMOS频率合成器DS1077设计的单片机系统,使单片机能根据环境需要动态调整系统的工作频率,既能满足系统要求的实时处理能力,又尽可能地降低系统的耗电量及引起的电磁干扰。同时还讨论了系统改变工作频率后对RS232串行通讯的影响以及解决办法,确保该系统在不同的工作频率下仍能正常进行RS232串行通讯。这种单片机系统的变频设计提高了系统的适用范围和兼容性,使系统设计更加灵活。 相似文献
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外腔面发射激光器的GaAs基质厚度大,热导率低,严重阻碍有源区热量的扩散,影响激光器功率的提高。为了去除激光器的GaAs基质,采用硫酸系酸性腐蚀,通过改变腐蚀液浓度和腐蚀温度来比较腐蚀液对GaAs基质的腐蚀影响,并采用原子力显微镜照片表征了腐蚀表面的粗糙度。结果表明,当腐蚀液的体积比V(H2SO4):V(H2O2):V(H2O)=1:5:10,腐蚀温度为30℃时,腐蚀速率适中,为5.2μm/min,腐蚀表面粗糙度2.7nm,腐蚀总体效果较为理想。较好的GaAs基质腐蚀效果为外腔面发射激光器衬底去除腐蚀阻挡层的选择性腐蚀提供了基本的保障。 相似文献
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热效应是限制外腔面发射激光器(VECSEL)输出功率和光束质量的主要原因。为了优化VECSEL增益芯片有源区量子阱的设计,降低激光器的热效应,提高斜效率和输出功率,采用光致荧光谱方法,对设计波长980nm VECSEL自发辐射谱的热特性进行了实验研究。取得了不同热沉温度下边发射和面发射谱随温度的变化数据。结果表明,反映有源区量子阱自身特性的边发射谱峰值波长随温度升高的红移速率是0.5nm/K,而受到增益芯片多层结构调制的面发射谱峰值波长随温度升高的红移速率只有0.1nm/K;由于受到VECSEL增益芯片中微腔的限制,面发射谱分离为多个模式,分别与微腔的腔模对应。可见对量子阱的发射波长及微腔腔长做预偏置优化处理,可以显著改善激光器的输出性能。 相似文献
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朱仁江 《重庆科技学院学报(自然科学版)》2008,10(3)
探讨氩氧比对采用ZnO陶瓷靶材磁控溅射制备薄膜的影响.研究发现,不同氩氧比对薄膜的溅射率和电学性能影响较大,而对薄膜的晶体结构和透过率没有产生明显的影响.随着氧气含量的增加,薄膜溅射率下降,并从n型导电变为高阻状态.薄膜呈较强的c轴择优取向的多晶结构,在可见光区域内玻璃衬底上的ZnO薄膜具有优异的透射特性. 相似文献
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朱仁江 《重庆科技学院学报(自然科学版)》2008,10(1):40-42
离子注入是将具有高动能的掺杂离子引入到半导体中的一种工艺,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型.将离子注入技术用于ZnO薄膜p型掺杂,其可重复性和稳定性良好. 相似文献
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