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在深亚微米 MOS集成电路制造中 ,等离子体工艺已经成为主流工艺。而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制 MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素。文中主要讨论了等离子体工艺引起的充电损伤、边缘损伤和表面不平坦引起的电子遮蔽效应的主要机理 ,并在此基础上讨论了减小等离子体损伤的有效方法。 相似文献
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在这篇文章中,我们利用原子层沉积(ALD)的方式在硅衬底上生长铂金(反应源是(CH3C5H4Pt(CH3)3)和氧气)。将经过氢氟酸处理和氧气处理的两种类型硅衬底进行生长对比实验来探究衬底表面处理对原子层沉积方式生长铂金薄膜的影响。相对于经氧化处理的硅衬底来说,在氢氟酸处理的硅衬底上淀积铂金薄膜有较长的滞后时间且生长过程不同。此外,即使在原子层沉积铂金薄膜实验之前利用氢氟酸处理硅衬底以去除天然氧化层,淀积实验完成后在铂金和硅衬底界面处仍有一层中间氧化层。文章解释了导致这种差异性的原因。 相似文献
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对TLP(传输线脉冲)应力下深亚微米GGNMOS器件的特性和失效机理进行了仿真研究.分析表明,在TLP应力下,栅串接电阻减小了保护结构漏端的峰值电压;栅漏交迭区电容的存在使得脉冲上升沿加强了栅漏交叠区的电场,栅氧化层电场随着TLP应力的上升沿减小而不断增大,这会导致栅氧化层的提前击穿.仿真显示,栅漏交迭区的电容和栅串接电阻对GGNMOS保护器件的开启特性和ESD耐压的影响是巨大的.该工作为以后的TLP测试和标准化提供了依据和参考. 相似文献