两种UHF RFID标准标签数据结构差异对读写器设计的影响

为了设计读取GB/T 29768-2013标准标签的读写器,对ISO 18000-6C和GB/T 29768-2013两种标准的标签数据结构进行了对比分析,给出了影响读写器设计性能的若干问题以及有针对性的FPGA解决办法。     

AgGaS2晶体生长过程中的过冷度研究

根据熔体生长系统中相变驱动力的基础理论,针对AgGaS2过冷度较大的特点,采用自发成核后升温熔料、下降安瓿后上提熔料以及加类籽晶等工艺研究了AgGaS2晶体生长过程中因过冷度大而难于生长较大尺寸单晶体的问题,生长出了外形完整、无裂纹的尺寸达φ15mm×20mm的较高质量AgGaS2单晶体.     

AgGaS2晶体红外光谱的研究

用傅里叶红外光谱仪测量了硫镓银晶体的红外透率,得到晶体的红外透射谱.应用群论的知识,对硫镓银晶体中离子的振动方式与红外活性之间的内在关系进行了讨论,并根据硫镓银晶体的红外光谱实验数据,计算了透过率和吸收系数.晶体的红外透过率(67%)与文献报道相近,与理论值还有一定差距,说明晶体内部还有第二相析出物形成的微观散射中心等缺陷存在.     

两温区气相输运温度振荡法合成AgGaS2多晶材料

根据对Ag2S-Ga2S3赝二元相图的分析，采用同成分点配料，分别采用一种新方法——两温区气相输运温度振荡法和普通气相输运法合成AgGas2多晶材料。通过XRD对合成AgGaS2多晶的分析，结果发现：新方法合成的原料纯度及均匀性优于普通气相输运法合成的样品。晶体生长实验表明：新方法合成的AgGaS2多晶材料生长出的单晶外观完整、无裂纹，红外透过率达67％，而普通气相输运法合成的多晶材料生长出的单晶体红外透过率36％。因此，两温区气相输运温度振荡法是合成高质量AgGaS2多晶材料的一种较好的新方法。     

AgGaS2单晶生长温场研究

根据AgGaS2晶体的生长习性,分析了AgGaS2晶体生长对生长炉温场的要求,设计了三温区的生长炉,并对其温场进行了测试实验.在测试结果中选择较好的温场进行AgGaS2晶体生长,得到了外形较完整、品质较高的晶体.     

一种铁路货车电子标签数据识别方法

货车标签被读写器发射的射频能量激活后，将连续不断地、周而复始地返回标签中的数据帧给读写器。当货车运动时，电子标签返回给读写器的信号受多径效应的影响，出现衰落现象，使读写器不能正确识别标签数据，而且标签信号出现衰落的时间是随机的。利用同步特征信号，可以采集到残缺的数据，并可以用三帧残缺的数据拼接出一帧完整的标签数据。     

AgGaS2单晶生长温场研究

根据AgGaS2晶体的生长习性,分析了AgGaS2晶体生长对生长炉温场的要求,设计了三温区的生长炉,并对其温场进行了测试实验.在测试结果中选择较好的温场进行AgGaS2晶体生长,得到了外形较完整、品质较高的晶体.