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1.
本文报导在(100)晶向InP衬底上,液相外延生长(λ=1.0~1.31μm)GaInAsP/InP双异质结的研究结果。测定了600—670℃温度范围内InP在In中的饱和溶解度,研究了Te、Sn和Zn、Mg等掺杂剂的行为。用X光双晶衍射法研究了GaInAsP/InP异质结的晶格失配,用扫描电镜电子束感生电流法和电化学C-V法研究了外延片中p-n结偏位现象。用光吸收法测试外延片吸收边,估算了外延片中四元层的禁带宽度,并与制管后的发光波长作了比较。外延片可制得发光波长1.0~1.3μm、功率达1mw(100mA工作电流)的光通讯用小面积发光二极管。  相似文献   
2.
正 (一)引言 GaxIn1-xAsyP1-y四元合金材料在很宽的组分变化范围内  相似文献   
3.
采用VMAS排放检测系统作为实验平台,在同一辆实验车上换装不同磨损程度的轮胎进行排放检测。实验结果表明,随着在用车使用的时间增长,轮胎的磨损程度也随之增大,轮胎磨损后导致了轮胎与路面间摩擦力的显著降低,影响到车辆的动力性、经济性和牵引性能,对汽车的排放有直接的影响,特别是在变工况下影响尤为明显。通过实验,找出了轮胎磨损程度与汽车排放特性之间的关系,为控制在用车排放污染物提供了实验依据。  相似文献   
4.
影响汽车燃料经济性试验结果的因素   总被引:1,自引:0,他引:1  
笔者根据实践经验,较详细地论述了影响汽车燃料经济性能试验结果的多种因素,并提出了保证试验质量的有效措施。  相似文献   
5.
The effects of the growth conditions of two-phase solution liquid phase epitaxy(LPE)(i.e.growth temperature,cooling rates and solution composition)on lattice mismatch and band-gapwavelength in GaInAsP/InP heterojunction LPE layers have been investigated by X-ray double-crystal diffractometry and double-beam spectrophotometry.The stress in the grown interface freeof misfit dislocations and lattice mismatch at growth temperature have been calculated.  相似文献   
6.
<正> 一、引 言 GaInAsP/InP双异质结材料和器件是当前光通讯研究中人们很感兴趣的一个领域.它具有以下几个特点:(1)有源层禁带可以在相应波长0.96-1.67μm范围内任意选择,适合于低损耗、低色散的光纤传输.(2)能够用异质结阻挡位错的延伸,而本身又可以晶格匹配地生长,不引进失配位错.(3)在有源层达到高效率的发射复合,然后通过透明的InP层,保证有效地取出发射光.(4)InP的热导性较好.(5)该异质结材料不易氧化,生长工艺容易稳定.  相似文献   
7.
本文分析了汽车的制动过程及制动过程中的振动情况,并进一步分析了振动产生的原因和振动对制动性能的影响。  相似文献   
8.
用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的P-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因。用控制掺杂浓度,Mg掺杂,均可制得正确的P-n结。用电化学C—V法测试了部分样品。与制管后发射光谱进行了比较,结果相同。  相似文献   
9.
用双光束分光光度计测定了Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP双异质结外延片中四元层的禁带宽度。并和制得的发光管发射波长及计算值进行比较。部分样品用电子探针阴极萤光法对照。说明光吸收法简便、迅速、可靠。可对液相外延质量提供一定的评价。  相似文献   
10.
本文报道了InGaAsP/InP脊形相位调制器的初步研究结果。采用水平液相外延,常规器件工艺和湿法化学腐蚀方法,制得了波导宽度4—8μm,反向击穿电压3—5V的相位调制器。用Mach—Zehnder干涉光路,和1.52μum激光源对器件进行测量,得到迄今最高的相位移效率—TE和TM模分别为60°/V·mm和43°/V·mm。  相似文献   
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