硅王国在被蚕食

硅半导体长期以来一直是成本和效能的折衷选择，用硅做芯片成本低，但也有不足，尤其在高速和高灵敏度设计中更为明显。GaAs是一种有吸引力的材料，能生产更快的电路，因为它的电子迁移率要高得多。妨碍GaAs等挑战者发展的唯一问题是成本，由于制造费用相对昂贵，尽管作了许多努力，GaAs仍不能取代硅的统治地位，只是在硅性能所不能达到的场合有一些应用。现在有许多新竞争者希望能够蚕食硅的王国。转向新材料的动力来自大功率射频器件和光电产品，由于存在间接带隙使利用硅材料来生产高效发光二极管(LED)和激光器非常棘手。在实验室里…     

塑料透镜注射压缩成形新方法

塑料透镜的批量生产，通常采用注射成形法；透镜的精度要求较高时，则使用注射压缩成形技术。本文提出注射成形应注意的一些共通性问题、简述注射压缩成形及其实值，详细介绍最近开发成功的一种精密注射压缩成形技术。     

航天元器件自主与可控概念及量化研究

提出了航天元器件自主与可控的概念及量化方法,指出在讨论航天元器件时,一般所说的“自主可控”,应理解为“自主”与“可控”两个词,二者内涵有一定的交集,但是概念不同.自主注重元器件产品及形成该产品全过程的全部要素不受制于外国或他人,可控注重评估受制于外国或他人的风险可接受或者有规避风险的措施.基于此,提出了采用“要素赋值法”以解决自主程度难以量化的问题.     

用于集成无源器件的工艺技术

当今便携式无线产品里使用的大多数器件是无 源元件。如果把这些无源元件集成到一个衬底或一个独立的器件上将能明显地提高产品性能、降低成本和减小尺寸。制造集成无源元件的材料和工艺有许多种,在这里对它们进行了比较。 最新的便携式移动电话、计算机和Ｉｎｔｅｒｎｅｔ应用要求产品有更强的功能、更好的性能和更低的价格,同时要求体积小、重量轻。到目前为止,硅和ＧａＡｓ集成电路技术发展迅速,加上采用更小的封装形式、更小的分立无源元件和高密度互连印制电路技术,已经能满足上述要求。这些产品的基带部分可用硅单片集成电路实现…     

红外光学元件的精密切削加工与镀膜

本文以红外光学晶体材料锗为重点,介绍红外光学元件的精密切削加工技术及其最新进展。首先简述红外辐射的基本概念,介绍主要红外晶体材料及棒性能;然后重点叙述晶体材料的切削加工特性,分析晶向对切削面的影响,给也切削面条件与切削面质量物关系,列举锗非球面透镜的切削加工以及一些相关问题,最后介绍红外光学元件的镀膜技术。     

铈离子间接电化学氧化邻氯甲苯制邻氯苯甲醛

选择Ce4 /Ce3 -H2 SO4 为氧化介质 ,由铈离子间接电化学氧化邻氯甲苯合成邻氯苯甲醛 .分别研究了氧化反应温度、硫酸浓度、表面活性剂添加量等因素对目的产物邻氯苯甲醛的产率和反应速率的影响 ,得到较适宜的工艺条件为 :氧化反应温度 34 8K ,硫酸浓度 6～ 7.5mol/L ;在无隔膜电解槽中进行铈离子电解氧化再生 .槽电压 2 .8～ 3.0V ,电流密度 6 9mA/cm2 ,采用PbO/Pb电极 ,阴阳极面积比 1∶2 ,硫酸浓度 3mol/L ,其电流效率 89.5 % ,电解收率 5 0 .1 5 % .     

红外光学元件的精密切削加工与镀膜

以红外光学晶体材料锗（Ge）为重点，介绍红外光学元件的精密切削加工技术及其最新进展。首先主要介绍红外晶体材料及其性能；然后重点叙述晶体材料的切削加工特性，分析晶向对切削面的影响，给出切削条件与切削面质量的关系，列举锗非球面透镜的切削加工以及一些相关问题，最后介绍红外光学元件的镀膜技术。